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DDR3拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)規(guī)劃：Fly?by拓?fù)溥€是T拓?fù)? DDR1/2控制命令等信號，均采用T拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。到了 DDR3,由于信號速率提升，當(dāng)負(fù) 載較多如多于4個負(fù)載時，T拓?fù)湫盘栙|(zhì)量較差，因此DDR3的控制命令和時鐘信號均釆用 Fly.by拓?fù)?。下面是在某?..

單擊View Topology按鈕進入SigXplorer拓?fù)渚庉嫮h(huán)境，可以按前面161節(jié)反射 中的實驗所學(xué)習(xí)的操作去編輯拓?fù)溥M行分析。也可以單擊Waveforms..按鈕去直接進行反射和 串?dāng)_的布線后仿真。 在提取出來的拓?fù)渲?，設(shè)置Controll...

延遲測試：延遲測試旨在評估DDR5內(nèi)存模塊在讀取和寫入操作中的響應(yīng)延遲。通過讀取和寫入大量數(shù)據(jù)并測量所需的延遲時間，以確認(rèn)內(nèi)存模塊在給定延遲設(shè)置下的穩(wěn)定性。 容錯機制測試：DDR5內(nèi)存模塊通常具備容錯機制，如ECC（錯誤檢測與糾正碼）功能。進行相應(yīng)的...

檢查設(shè)備設(shè)置：在RJ45測試過程中，還請確保相關(guān)設(shè)備的設(shè)置正確。例如，在計算機上，確保網(wǎng)絡(luò)適配器的驅(qū)動程序已安裝正確，網(wǎng)絡(luò)設(shè)置符合要求，如IP地址、子網(wǎng)掩碼、網(wǎng)關(guān)等。如果設(shè)置有誤，進行必要的更改和調(diào)整。檢查網(wǎng)絡(luò)設(shè)備：如果RJ45測試出現(xiàn)故障，還應(yīng)該檢查其他網(wǎng)絡(luò)...

隨著數(shù)據(jù)速率的提高，芯片中的預(yù)加重和均衡功能也越來越復(fù)雜。比如在PCle 的1代和2代中使用了簡單的去加重(De-emphasis)技術(shù)，即信號的發(fā)射端(TX)在發(fā)送信 號時對跳變比特(信號中的高頻成分)加大幅度發(fā)送，這樣可以部分補償傳輸線路對高 頻成分的衰減...

ECC功能測試：DDR5支持錯誤檢測和糾正（ECC）功能，測試過程包括注入和檢測位錯誤，并驗證內(nèi)存模塊的糾錯能力和數(shù)據(jù)完整性。 功耗和能效測試：DDR5要求測試設(shè)備能夠準(zhǔn)確測量內(nèi)存模塊在不同負(fù)載和工作條件下的功耗。相關(guān)測試包括閑置狀態(tài)功耗、讀寫數(shù)據(jù)時...

DDR5（Double Data Rate 5），即雙倍數(shù)據(jù)率5代，是一種內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，作為一代的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，旨在提供更高的性能和容量。 背景：DDR5的發(fā)展背景可以追溯到之前的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，如DDR、DDR2、DDR3和DDR4。每一代DDR內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)都帶...

更大的內(nèi)存容量：DDR4內(nèi)存模塊支持更大的內(nèi)存容量。單個DDR4內(nèi)存模塊的容量可以達(dá)到32GB以上，甚至有高容量模塊達(dá)到128GB。這使得計算機系統(tǒng)能夠安裝更多內(nèi)存，同時處理更多的數(shù)據(jù)和任務(wù)，適應(yīng)大規(guī)模計算和復(fù)雜應(yīng)用場景。 改進的時序配置：DDR4內(nèi)...

單擊Impedance Plot (expanded),展開顯示所有網(wǎng)絡(luò)走線的阻抗彩圖。雙擊彩圖 上的任何線段，對應(yīng)的走線會以之前定義的顏色在Layout窗口中高亮顯示。 單擊Impedance Table,可以詳細(xì)查看各個網(wǎng)絡(luò)每根走線詳細(xì)的阻抗相關(guān)...

抗噪聲和抗干擾測試：這些測試項目用于評估LVDS設(shè)備對于外部噪聲和干擾的抵抗能力。通過在測試環(huán)境中模擬或?qū)嶋H遭受噪聲和干擾，評估設(shè)備的抗干擾能力，以確保其在實際應(yīng)用中具備良好的信號完整性和可靠性。驅(qū)動能力和傳輸距離測試：LVDS設(shè)備的驅(qū)動能力和傳輸距離是其可靠...

LVDS發(fā)射端一致性測試的目的是確保LVDS發(fā)射器在發(fā)送數(shù)據(jù)時的穩(wěn)定性和一致性，以保證正常的信號傳輸和數(shù)據(jù)完整性。具體目的如下： 驗證信號質(zhì)量：一致性測試旨在驗證LVDS發(fā)射器輸出信號是否符合規(guī)定的電氣參數(shù)范圍，如信號幅度、波形、偏移、差分幅度和傳輸...

DDRx接口信號的時序關(guān)系 DDR3的時序要求大體上和DDR2類似，作為源同步系統(tǒng)，主要有3組時序設(shè)計要求。 一組是DQ和DQS的等長關(guān)系，也就是數(shù)據(jù)和選通信號的時序；一組是CLK和ADDR/CMD/ CTRL的等長關(guān)系，也就是時鐘和地址控制總線的關(guān)...

DDR5內(nèi)存測試方法通常包括以下幾個方面： 頻率測試：頻率測試是評估DDR5內(nèi)存模塊的傳輸速率和穩(wěn)定性的關(guān)鍵部分。通過使用基準(zhǔn)測試軟件和工具，可以進行頻率掃描、時序調(diào)整和性能評估，以確定DDR5內(nèi)存模塊的比較高穩(wěn)定傳輸頻率。 時序窗口分析：時序...

數(shù)據(jù)中心和云計算服務(wù)提供商：數(shù)據(jù)中心和云計算服務(wù)提供商依賴于高性能和可靠的內(nèi)存系統(tǒng)。對于他們來說，DDR5測試是確保數(shù)據(jù)中心和云計算服務(wù)器的穩(wěn)定性和可靠性的重要環(huán)節(jié)。他們需要對DDR5內(nèi)存模塊進行全部的測試，包括性能測試、負(fù)載測試、容錯測試等，以確保內(nèi)存子...

DDR 系統(tǒng)概述 DDR 全名為 Double Data Rate SDRAM ，簡稱為 DDR。DDR 本質(zhì)上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高 SDRAM 的速度，它允許在時鐘的上升沿和下降沿讀/寫數(shù)據(jù)，因而其數(shù)據(jù)速率是標(biāo)準(zhǔn) SDRAM 的兩倍，至于...

行預(yù)充電時間（tRP，Row Precharge Time）：行預(yù)充電時間指的是執(zhí)行下一個行操作之前需要在當(dāng)前行操作之后等待的時間。它表示內(nèi)存模塊關(guān)閉當(dāng)前行并預(yù)充電以準(zhǔn)備接收新的行指令的速度。常見的行預(yù)充電時間參數(shù)包括tRP 16、tRP 15、tRP 1...

增大容量：DDR5支持更大的內(nèi)存容量，每個內(nèi)存模塊的容量可達(dá)到128GB。這對于需要處理大規(guī)模數(shù)據(jù)集或高性能計算的應(yīng)用非常有用。 高密度組件：DDR5采用了更高的內(nèi)存集成度，可以實現(xiàn)更高的內(nèi)存密度，減少所需的物理空間。 更低的電壓：DDR5使用...

DDR3： DDR3釆用SSTL_15接口，I/O 口工作電壓為1.5V；時鐘信號頻率為400? 800MHz；數(shù)據(jù)信號速率為800?1600Mbps,通過差分選通信號雙沿釆樣；地址/命令/控制信 號在1T模式下速率為400?800Mbps,在2T模式下速率為...

還可以給這個Bus設(shè)置一個容易區(qū)分的名字，例如把這個Byte改為ByteO,這樣就把 DQ0-DQ7, DM和DQS, DQS與Clock的總線關(guān)系設(shè)置好了。 重復(fù)以上操作，依次創(chuàng)建：DQ8?DQ15、DM1信號；DQS1/NDQS1選通和時鐘 CK...

DDR3拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)規(guī)劃：Fly?by拓?fù)溥€是T拓?fù)? DDR1/2控制命令等信號，均采用T拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。到了 DDR3,由于信號速率提升，當(dāng)負(fù) 載較多如多于4個負(fù)載時，T拓?fù)湫盘栙|(zhì)量較差，因此DDR3的控制命令和時鐘信號均釆用 Fly.by拓?fù)?。下面是在某?..

單擊View Topology按鈕進入SigXplorer拓?fù)渚庉嫮h(huán)境，可以按前面161節(jié)反射 中的實驗所學(xué)習(xí)的操作去編輯拓?fù)溥M行分析。也可以單擊Waveforms..按鈕去直接進行反射和 串?dāng)_的布線后仿真。 在提取出來的拓?fù)渲?，設(shè)置Controll...

DDR3信號質(zhì)量問題及仿真解決案例隨著DDR信號速率的升高，信號電平降低，信號質(zhì)量問題也會變得突出。比如DDR1的數(shù)據(jù)信號通常用在源端加上匹配電阻來改善波形質(zhì)量；DDR2/3/4會將外部電阻變成內(nèi)部ODT；對于多負(fù)載的控制命令信號，DDR1/2/3可以在末端添...

瀏覽選擇控制器的IBIS模型，切換到Bus Definition選項卡，單擊Add按鈕添加一 組新的Buso選中新加的一行Bus使其高亮，將鼠標(biāo)移動到Signal Names下方高亮處，單擊 出現(xiàn)的字母E,打開Signal列表。勾選組數(shù)據(jù)和DM信號，單擊0...

隨機訪問速度（Random Access Speed）：隨機訪問速度是內(nèi)存模塊隨機讀寫數(shù)據(jù)的速度。常用的測試方法包括：3D Mark等綜合性能測試工具：這些工具中包含一些模塊化的測試場景，其中包括隨機訪問測試，用于評估內(nèi)存的隨機訪問速度。穩(wěn)定性和耐久性：穩(wěn)定性...

走線阻抗/耦合檢查 走線阻抗/耦合檢查流程在PowerSI和SPEED2000中都有，流程也是一樣的。本例通過 Allegro Sigrity SI 啟動 Trace Impedance/Coupling Check,自動調(diào)用 PowerSI 的流程...

多數(shù)電子產(chǎn)品，從智能手機、PC到服務(wù)器，都用著某種形式的RAM存儲設(shè)備。由于相 對較低的每比特的成本提供了速度和存儲很好的結(jié)合，SDRAM作為大多數(shù)基于計算機產(chǎn)品 的主流存儲器技術(shù)被廣泛應(yīng)用于各種高速系統(tǒng)設(shè)計中。 DDR是雙倍數(shù)率的SDRAM內(nèi)存接口...

當(dāng)遇到DDR4內(nèi)存故障時，以下是一些建議的常見故障診斷和排除方法：清理內(nèi)存插槽：首先，確保內(nèi)存插槽沒有灰塵或臟污。使用無靜電的氣體噴罐或棉簽輕輕清潔內(nèi)存插槽。更換插槽和內(nèi)存條位置：嘗試將內(nèi)存條移動到不同的插槽位置。有時候插槽可能出現(xiàn)問題，或者在某些插槽上的連接...

重復(fù)步驟6至步驟9,設(shè)置Memory器件U101、U102、U103和U104的模型為 memory.ibs模型文件中的Generic器件。 在所要仿真的時鐘網(wǎng)絡(luò)中含有上拉電阻(R515和R518),在模型賦置界面中找到 這兩個電阻，其Device ...

單擊Next按鈕，出現(xiàn)Setup Trace Check Wizard窗口，確保網(wǎng)絡(luò)組的所有網(wǎng)絡(luò)都被選中, 單擊Finish按鈕。 單擊Save File with Error Check保存文件，保存結(jié)束后，單擊Start Simulation...

單擊Check Stackup,設(shè)置PCB板的疊層信息。比如每層的厚度(Thickness)、介 電常數(shù)(Permittivity (Er))及介質(zhì)損耗(LossTangent)。 單擊 Enable Trace Check Mode,確保 Ena...