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模擬集成電路是指由電阻、電容、晶體管等元件集成在一起用來(lái)處理模擬信號(hào)的模擬集成電路。有許多的模擬集成電路，如集成運(yùn)算放大器、比較器、對(duì)數(shù)和指數(shù)放大器、模擬乘(除)法器、鎖相環(huán)、電源管理芯片等。模擬集成電路的主要構(gòu)成電路有：放大器、濾波器、反饋電路、...

晶圓測(cè)試經(jīng)過(guò)上面的幾道工藝之后，晶圓上就形成了一個(gè)個(gè)格狀的晶粒。通過(guò)針測(cè)的方式對(duì)每個(gè)晶粒進(jìn)行電氣特性檢測(cè)。一般每個(gè)芯片的擁有的晶粒數(shù)量是龐大的，組織一次針測(cè)試模式是非常復(fù)雜的過(guò)程，這要求了在生產(chǎn)的時(shí)候盡量是同等芯片規(guī)格構(gòu)造的型號(hào)的大批量的生產(chǎn)。數(shù)量越大相對(duì)成本...

載流子的濃度與溫度的關(guān)系：溫度一定，本征半導(dǎo)體中載流子的濃度是一定的，并且自由電子與空穴的濃度相等。當(dāng)溫度升高時(shí)，熱運(yùn)動(dòng)加劇，掙脫共價(jià)鍵束縛的自由電子增多，空穴也隨之增多（即載流子的濃度升高），導(dǎo)電性能增強(qiáng)；當(dāng)溫度降低，則載流子的濃度降低，導(dǎo)...

將純半導(dǎo)體單晶熔化成半導(dǎo)體，并緩慢擠壓生長(zhǎng)成棒狀?；貧w型它是從含有少量施主雜質(zhì)和受主雜質(zhì)的溶液中擠出來(lái)的，如果擠出速度快，則生長(zhǎng)出P型半導(dǎo)體，如果慢則生長(zhǎng)出N型半導(dǎo)體。因?yàn)榛鶚O區(qū)較厚，高頻特性較差。戈隆擴(kuò)散當(dāng)在擠壓過(guò)程中添加到溶解半導(dǎo)體中的雜質(zhì)發(fā)生變化時(shí)，...

電位器的檢測(cè)。檢查電位器時(shí)，首先要轉(zhuǎn)動(dòng)旋柄，看看旋柄轉(zhuǎn)動(dòng)是否平滑，開(kāi)關(guān)是否靈活，開(kāi)關(guān)通、斷時(shí)“喀噠”聲是否清脆，并聽(tīng)一聽(tīng)電位器內(nèi)部接觸點(diǎn)和電阻體摩擦的聲音，如有“沙沙”聲，說(shuō)明質(zhì)量不好。用萬(wàn)用表測(cè)試時(shí)，先根據(jù)被測(cè)電位器阻值的大小，選擇好萬(wàn)用表的合適電阻擋位，然...

三極管三極管在中文含義里面只是對(duì)三個(gè)腳的放大器件的統(tǒng)稱(chēng)，我們常說(shuō)的三極管，可能有多種器件。可以看到，雖然都叫三極管，其實(shí)在英文里面的說(shuō)法是千差萬(wàn)別的，三極管這個(gè)詞匯其實(shí)也是中文特有的一個(gè)象形意義上的的詞匯電子三極管 Triode 這個(gè)是英漢字典里面“三極管”這...

一般小功率電源變壓器。允許溫升為40℃～50℃，如果所用絕緣材料質(zhì)量較好，允許溫升還可提高。H 檢測(cè)判別各繞組的同名端。在使用電源變壓器時(shí)，有時(shí)為了得到所需的次級(jí)電壓，可將兩個(gè)或多個(gè)次級(jí)繞組串聯(lián)起來(lái)使用。采用串聯(lián)法使用電源變壓器時(shí)，參加串聯(lián)的各繞組的同名端必須...

通用電子測(cè)量?jī)x器是現(xiàn)代工業(yè)的基礎(chǔ)，使用場(chǎng)景***，高低端跨度大，是電子工業(yè)發(fā)展和國(guó)家戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性重要產(chǎn)業(yè)之一，常見(jiàn)類(lèi)型包括示波器、射頻類(lèi)儀器、波形發(fā)生器、電源與電子負(fù)載。**儀器以某一個(gè)或幾個(gè)**功能為目的，設(shè)計(jì)制造難度極高，應(yīng)用領(lǐng)域較小，如光纖測(cè)試儀器、電...

國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展藍(lán)圖(ITRS)多年來(lái)預(yù)測(cè)了特征尺寸的預(yù)期縮小和相關(guān)領(lǐng)域所需的進(jìn)展。**終的ITRS于2016年發(fā)布，現(xiàn)已被《設(shè)備和系統(tǒng)國(guó)際路線圖》取代。[21]**初，集成電路嚴(yán)格地說(shuō)是電子設(shè)備。集成電路的成功導(dǎo)致了其他技術(shù)的集成，試圖獲得同樣的小尺寸和低...

非晶態(tài)半導(dǎo)體。它又被叫做無(wú)定形半導(dǎo)體或玻璃半導(dǎo)體，屬于半導(dǎo)電性的一類(lèi)材料。非晶半導(dǎo)體和其他非晶材料一樣，都是短程有序、長(zhǎng)程無(wú)序結(jié)構(gòu)。它主要是通過(guò)改變?cè)酉鄬?duì)位置，改變?cè)械闹芷谛耘帕?，形成非晶硅。晶態(tài)和非晶態(tài)主要區(qū)別于原子排列是否具有長(zhǎng)程序。非晶...

1906年美國(guó)人德福雷斯特發(fā)明真空三極管，用來(lái)放大電話的聲音電流。此后，人們強(qiáng)烈地期待著能夠誕生一種固體器件，用來(lái)作為質(zhì)量輕、價(jià)廉和壽命長(zhǎng)的放大器和電子開(kāi)關(guān)。1947年，點(diǎn)接觸型鍺晶體管的誕生，在電子器件的發(fā)展史上翻開(kāi)了新的一頁(yè)。但是，這種點(diǎn)接觸型晶...

國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展藍(lán)圖(ITRS)多年來(lái)預(yù)測(cè)了特征尺寸的預(yù)期縮小和相關(guān)領(lǐng)域所需的進(jìn)展。**終的ITRS于2016年發(fā)布，現(xiàn)已被《設(shè)備和系統(tǒng)國(guó)際路線圖》取代。[21]**初，集成電路嚴(yán)格地說(shuō)是電子設(shè)備。集成電路的成功導(dǎo)致了其他技術(shù)的集成，試圖獲得同樣的小尺寸和低...

這種由于電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生而形成的混合型導(dǎo)電稱(chēng)為本征導(dǎo)電。導(dǎo)帶中的電子會(huì)落入空穴，電子-空穴對(duì)消失，稱(chēng)為復(fù)合。復(fù)合時(shí)釋放出的能量變成電磁輻射（發(fā)光）或晶格的熱振動(dòng)能量（發(fā)熱）。在一定溫度下，電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生和復(fù)合同時(shí)存在并達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，此...

半導(dǎo)體五大特性∶電阻率特性，導(dǎo)電特性，光電特性，負(fù)的電阻率溫度特性，整流特性。在形成晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體中，人為地?fù)饺胩囟ǖ碾s質(zhì)元素，導(dǎo)電性能具有可控性。在光照和熱輻射條件下，其導(dǎo)電性有明顯的變化。晶格：晶體中的原子在空間形成排列整齊的點(diǎn)陣，稱(chēng)為晶格。共價(jià)...

光電探測(cè)器光電探測(cè)器的功能是把微弱的光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，然后經(jīng)過(guò)放大器將電信號(hào)放大，從而達(dá)到檢測(cè)光信號(hào)的目的。光敏電阻是**早發(fā)展的一種光電探測(cè)器。它利用了半導(dǎo)體受光照后電阻變小的效應(yīng)。此外，光電二極管、光電池都可以用作光電探測(cè)元件。十分微...

鍺和硅是**常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物(硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。除上述晶態(tài)半導(dǎo)體外，還有非...

半導(dǎo)體制冷技術(shù)是目前的制冷技術(shù)中應(yīng)用比較***的。農(nóng)作物在溫室大棚中生長(zhǎng)中，半導(dǎo)體制冷技術(shù)可以對(duì)環(huán)境溫度有效控制，特別是一些對(duì)環(huán)境具有很高要求的植物，采用半導(dǎo)體制冷技術(shù)塑造生長(zhǎng)環(huán)境，可以促進(jìn)植物的生長(zhǎng)。半導(dǎo)體制冷技術(shù)具有可逆性，可以用于制冷，也可...

為加快推動(dòng)產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展，工業(yè)和信息化部強(qiáng)化政策指引，統(tǒng)籌指導(dǎo)電子元器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展。喬躍山強(qiáng)調(diào)，工信部統(tǒng)籌利用相關(guān)專(zhuān)項(xiàng)，支持一批電子元器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化；支持培育700余家電子元器件領(lǐng)域?qū)＞匦隆靶【奕恕逼髽I(yè)；同時(shí)，加強(qiáng)產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展，指導(dǎo)行業(yè)協(xié)會(huì)編制《電子元器件...

在速率上，商用系統(tǒng)大多為2.5Gbit/s或10Gbit/s，更高速率的40Gbit/s系統(tǒng)正在實(shí)用化，預(yù)計(jì)到2004年開(kāi)始商業(yè)應(yīng)用，一些電信公司如阿爾卡特的實(shí)驗(yàn)室已進(jìn)行了160Gbit/s的傳輸實(shí)驗(yàn)。在通道密度方面，通道間的波長(zhǎng)間隙已小到25GHz...

***個(gè)集成電路雛形是由杰克·基爾比于1958年完成的，其中包括一個(gè)雙極性晶體管，三個(gè)電阻和一個(gè)電容器。根據(jù)一個(gè)芯片上集成的微電子器件的數(shù)量，集成電路可以分為以下幾類(lèi)：小型集成電路（SSI英文全名為Small Scale Integration）邏輯門(mén)10個(gè)以...

兆歐表兆歐表（俗稱(chēng)搖表）是一種檢查電氣設(shè)備、測(cè)量高電阻的簡(jiǎn)便直讀式儀表，通常用來(lái)測(cè)量電路、電機(jī)繞組、電纜等絕緣電阻。兆歐表大多采用手搖發(fā)電機(jī)供電，故稱(chēng)搖表。由于它的刻度是以兆歐（MΩ）為單位，故稱(chēng)兆歐表。 紅外測(cè)試儀紅外測(cè)試儀是一種非接觸式測(cè)溫儀器，它包括光學(xué)...

電容 1、電容在電路中一般用“C”加數(shù)字表示(如C13表示編號(hào)為13的電容)。電容是由兩片金屬膜緊靠，中間用絕緣材料隔開(kāi)而組成的元件。電容的特性主要是隔直流通交流。電容容量的大小就是表示能貯存電能的大小，電容對(duì)交流信號(hào)的阻礙作用稱(chēng)為容抗，它與交流信號(hào)...

元素半導(dǎo)體。元素半導(dǎo)體是指單一元素構(gòu)成的半導(dǎo)體，其中對(duì)硅、硒的研究比較早。它是由相同元素組成的具有半導(dǎo)體特性的固體材料，容易受到微量雜質(zhì)和外界條件的影響而發(fā)生變化。目前，只有硅、鍺性能好，運(yùn)用的比較廣，硒在電子照明和光電領(lǐng)域中應(yīng)用。硅在半導(dǎo)體工業(yè)中運(yùn)用的多...

發(fā)展史： 1906年，美國(guó)發(fā)明家德福雷斯特（De Forest Lee）發(fā)明了真空三極管（電子管）。***代電子產(chǎn)品以電子管為**。四十年代末世界上誕生了***只半導(dǎo)體三極管，它以小巧、輕便、省電、壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)，很快地被各國(guó)應(yīng)用起來(lái)，在很大范圍內(nèi)取代...

電子測(cè)距儀有很多種，如：手持測(cè)距儀、激光測(cè)距儀、超聲波測(cè)距儀、紅外測(cè)距儀，介紹其中的幾種； 光學(xué)測(cè)距儀，英文全名“Optical Range Finder”?？芍弊g為“射程測(cè)量?jī)x”它是采用三角函數(shù)概念來(lái)測(cè)算距離的儀器。其概念雖然在18世紀(jì)就已經(jīng)提出，但無(wú)奈當(dāng)時(shí)...

光電池當(dāng)光線投射到一個(gè)PN結(jié)上時(shí)，由光激發(fā)的電子空穴對(duì)受到PN結(jié)附近的內(nèi)在電場(chǎng)的作用而向相反方向分離，因此在PN結(jié)兩端產(chǎn)生一個(gè)電動(dòng)勢(shì)，這就成為一個(gè)光電池。把日光轉(zhuǎn)換成電能的日光電池很受人們重視。較早應(yīng)用的日光電池都是用硅單晶制造的，成本太高，不能大量推廣使...

全站儀具有角度測(cè)量、距離(斜距、平距、高差)測(cè)量、三維坐標(biāo)測(cè)量、導(dǎo)線測(cè)量、交會(huì)定點(diǎn)測(cè)量和放樣測(cè)量等多種用途。內(nèi)置**軟件后，功能還可進(jìn)一步拓展。全站儀的基本操作與使用方法 ：1）水平角測(cè)量（1）按角度測(cè)量鍵，使全站儀處于角度測(cè)量模式，照準(zhǔn)***個(gè)目標(biāo)A。（2）...

發(fā)展： **的集成電路是微處理器或多核處理器的**，可以控制計(jì)算機(jī)到手機(jī)到數(shù)字微波爐的一切。雖然設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)一個(gè)復(fù)雜集成電路的成本非常高，但是當(dāng)分散到通常以百萬(wàn)計(jì)的產(chǎn)品上，每個(gè)集成電路的成本**小化。集成電路的性能很高，因?yàn)樾〕叽鐜?lái)短路徑，使得低功率邏...

全站儀是人們?cè)诮嵌葴y(cè)量自動(dòng)化的過(guò)程中應(yīng)用而生的，各類(lèi)電子經(jīng)緯儀在各種測(cè)繪作業(yè)中起著巨大的作用。全站儀的發(fā)展經(jīng)歷了從組合式即光電測(cè)距儀與光學(xué)經(jīng)緯儀組合，或光電測(cè)距儀與電子經(jīng)緯儀組合，到整體式即將光電測(cè)距儀的光波發(fā)射接收系統(tǒng)的光軸和經(jīng)緯儀的視準(zhǔn)軸組合為同軸的整體式...

估測(cè)溫度系數(shù)αt 先在室溫t1下測(cè)得電阻值Rt1，再用電烙鐵作熱源，靠近熱敏電阻Rt，測(cè)出電阻值RT2，同時(shí)用溫度計(jì)測(cè)出此時(shí)熱敏電阻RT表面的平均溫度t2再進(jìn)行計(jì)算。7 壓敏電阻的檢測(cè)。用萬(wàn)用表的R×1k擋測(cè)量壓敏電阻兩引腳之間的正、反向絕緣電阻，均為無(wú)窮大，...