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由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20～30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。 因此使用中要注意以下幾點：1. 在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子...

另外，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞?？煽毓枋强煽毓枵髟暮喎Q，是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)...

高傳導(dǎo)點接觸型二極管它與高反向電阻型相反。其反向特性盡管很差，但使正向電阻變得足夠小。對高傳導(dǎo)點接觸型二極管而言，有SD56、1N56A等等。對高傳導(dǎo)鍵型二極管而言，能夠得到更優(yōu)良的特性。這類二極管，在負荷電阻特別低的情況下，整流效率較高。 在開關(guān)電源中,所需...

（3）現(xiàn)今產(chǎn)品多具有智能特點，除保護功能外，還有電量測量、故障記錄，以及通信接口，實現(xiàn)配電裝置及系統(tǒng)集中監(jiān)控管理。2、主要問題（1）價格很高，因此只宜在配電線路首端和特別重要場所的分干線使用；（2）尺寸較大。信息技術(shù)設(shè)備(ITE)熔斷器標識要求依照GB4943...

安裝過程中，螺絲刀決不能對器件塑料體施加任何力量；和接頭片接觸的散熱器表面應(yīng)處理，保證平坦，10mm上允許偏差0.02mm；安裝力矩（帶墊圈）應(yīng)在0.55nm 和0.8nm 之間；應(yīng)避免使用自攻絲螺釘，因為擠壓可能導(dǎo)致安裝孔周圍的隆起，影響器件和散熱器之間的熱...

正式商用的高壓大電流IGBT器件至今尚未出現(xiàn)，其電壓和電流容量還很有限，遠遠不能滿足電力電子應(yīng)用技術(shù)發(fā)展的需求，特別是在高壓領(lǐng)域的許多應(yīng)用中，要求器件的電壓等級達到10KV以上。目前只能通過IGBT高壓串聯(lián)等技術(shù)來實現(xiàn)高壓應(yīng)用。國外的一些廠家如瑞士ABB公司采...

另外，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)...

為防止發(fā)生越級熔斷、擴大事故范圍，上、下級（即供電干、支線）線路的熔斷器間應(yīng)有良好配合。選用時，應(yīng)使上級（供電干線）熔斷器的熔體額定電流比下級（供電支線）的大1～2個級差。常用的熔斷器有管式熔斷器R1系列、螺旋式熔斷器RLl系列、填料封閉式熔斷器RT0系列及快...

觸發(fā)二極管又稱雙向觸發(fā)二極管（DIAC）屬三層結(jié)構(gòu)，具有對稱性的二端半導(dǎo)體器件。常用來觸發(fā)雙向可控硅 ，在電路中作過壓保護等用途。圖1是它的構(gòu)造示意圖。圖2、圖3分別是它的符號及等效電路，可等效于基極開路、發(fā)射極與集電極對稱的NPN型晶體管。因此完全可用二只N...

額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個，如表1一5所示。正反向重復(fù)蜂值屯壓級別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級，1000V以上的管子每200V為一級。取電壓教除以100做為級別標志，如表1-6所示。通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組，用宇毋表示，如表1一所示...

紅外發(fā)光二極管1. 判別紅外發(fā)光二極管的正、負電極。紅外發(fā)光二極管有兩個引腳，通常長引腳為正極，短引腳為負極。因紅外發(fā)光二極管呈透明狀，所以管殼內(nèi)的電極清晰可見，內(nèi)部電極較寬較大的一個為負極，而較窄且小的一個為正極。 [8]2. 先測量紅個發(fā)光二極管的正、反向...

額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個，如表1一5所示。正反向重復(fù)蜂值屯壓級別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級，1000V以上的管子每200V為一級。取電壓教除以100做為級別標志，如表1-6所示。通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組，用宇毋表示，如表1一所示...

因此，在本征半導(dǎo)體的兩個不同區(qū)域摻入三價和五價雜質(zhì)元素，便形成了P型區(qū)和N型區(qū)，根據(jù)N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的特性，可知在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差異，電子和空穴都要從濃度高的區(qū)域向濃度低的區(qū)域擴散，它們的擴散使原來交界處的電中性被破壞。 [6]PN...

反向電流反向電流是指二極管在常溫（25℃）和比較高反向電壓作用***過二極管的反向電流。反向電流越小，管子的單方向?qū)щ娦阅茉胶谩Ｖ档米⒁獾氖欠聪螂娏髋c溫度有著密切的關(guān)系，大約溫度每升高10℃，反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極管，在25℃時反向電流若為25...

（4）不能實現(xiàn)遙控，需要與電動刀開關(guān)、開關(guān)組合才有可能。非選擇型斷路器：1、主要優(yōu)點和特點（1）故障斷開后，可以手操復(fù)位，不必更換元件，除非切斷大短路電流后需要維修；（2）有反時限特性的長延時脫扣器和瞬時電流脫扣器兩段保護功能，分別作為過載和短路防護用，各司其...

此外，熔斷器根據(jù)分斷電流范圍還可分為一般用途熔斷器，后備熔斷器和全范圍熔斷器。一般用途熔斷器的分斷電流范圍指從過載電流大于額定電流1.6～2倍起，到比較大分斷電流的范圍。這種熔斷器主要用于保護電力變壓器和一般電氣設(shè)備。后備熔斷器的分斷電流范圍指從過載電流大于額...

至于型號后綴字母的觸發(fā)電流，各個廠家的**含義如下：PHILIPS公司：D=5mA，E=10mA，C=15mA，F(xiàn)=25mA，G=50mA，R=200uA或5mA，型號沒有后綴字母之觸發(fā)電流，通常為25-35mA；PHILIPS公司的觸發(fā)電流**字母沒有統(tǒng)一的...

測量方法鑒別可控硅三個極的方法很簡單，根據(jù)P-N結(jié)的原理，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結(jié)，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都...

導(dǎo)通壓降電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)使電阻RN減小，使通態(tài)壓降小。關(guān)斷當在柵極施加一個負偏壓或柵壓低于門限值時，溝道被禁止，沒有空穴注入N-區(qū)內(nèi)。在任何情況下，如果MOSFET電流在開關(guān)階段迅速下降，集電極電流則逐漸降低，這是因為換向開始后，在N層內(nèi)還存在少數(shù)的載流子（少子）...

絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在***的電力電子領(lǐng)域中已經(jīng)得到廣泛的應(yīng)用，在實際使用中除IGBT自身外，IGBT 驅(qū)動器的作用對整個換流系統(tǒng)來說同樣至關(guān)重要。驅(qū)動器的選擇及輸出功率的計算決定了換流系統(tǒng)的可靠性。驅(qū)動器功率不足或選擇錯誤可能會直接導(dǎo)致 IGBT ...

通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間，就可以調(diào)節(jié)負載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術(shù)中，常把交流電的半個周期定為180°，稱為電角度。這樣，在U2的每個正半周，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α；在每個正半周內(nèi)可控...

圖7是雙向觸發(fā)二極管與雙向可控硅等元件構(gòu)成的臺燈調(diào)光電路。通過調(diào)節(jié)電位器R2，可以改變雙向可控硅的導(dǎo)通角，從而改變通過燈泡的電流（平均值）實現(xiàn)連續(xù)調(diào)光。如果將燈泡換電熨斗、電熱褥還可實現(xiàn)連續(xù)調(diào)溫。該電路在雙向可控硅加散熱器的情況下，可控負載功率可達500W，各...

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。...

可控硅這種通過觸發(fā)信號（小的觸發(fā)電流）來控制導(dǎo)通（可控硅中通過大電流）的可控特性，正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征。普通可控硅的三個電極可以用萬用表歐姆擋R×100擋位來測。大家知道，晶閘管G、K之間是一個PN結(jié)（a），相當于一個二極管，G為正極、K為負...

2、保護單臺長期工作的電機熔體電流可按比較大起動電流選取，也可按下式選?。篒RN ≥ (1.5～2.5)IN式中IRN--熔體額定電流；IN--電動機額定電流。如果電動機頻繁起動，式中系數(shù)可適當加大至3～3.5，具體應(yīng)根據(jù)實際情況而定。3、保護多臺長期工作的電...

②限流特性好，分斷能力高；③相對尺寸較小；NT系列熔斷器④價格較便宜。（2）熔斷器的主要缺點①故障熔斷后必須更換熔斷體；②保護功能單一，只有一段過電流反時限特性，過載、短路和接地故障都用此防護；③發(fā)生一相熔斷時，對三相電動機將導(dǎo)致兩相運轉(zhuǎn)的不良后果，當然可用帶...

在晶閘管導(dǎo)通后，如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻，使陽極電流Ia減小到維持電流IH以下時，由于a1和a1迅速下降，當1-（a1+a2）≈0時，晶閘管恢復(fù)阻斷狀態(tài)。普通可控硅**基本的用途就是可控整流。二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成可控硅...

熔斷器是**簡單的保護電器，它用來保護電氣設(shè)備免受過載和短路電流的損害；按安裝條件及用途選擇不同類型高壓熔斷器如屋外跌落式、屋內(nèi)式，對于一些**設(shè)備的高壓熔斷器應(yīng)選**系列；我們常說的保險絲就是熔斷器類。當今社會能源危機和環(huán)境污染問題與日俱增，全國大面積的霧霾...

大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的，有三個PN結(jié)，對外有三個電極〔圖2（P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽極A，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號〔圖2（以硅單晶為基本...

2. 額定電壓：熔斷器所在電路中的最高電壓不應(yīng)超過熔斷器的額定電壓。3.額定電流：通過熔斷器的工作電流不應(yīng)超過額定電流的75%。4. 短路截流能力：熔斷器所在的電路中可能出現(xiàn)的最大短路電流不應(yīng)超過熔斷器的短路截流能力。5. 熔斷特性：熔斷器在出現(xiàn)需要切斷的過載...