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應用類型雙向可控硅的特性曲線圖4示出了雙向可控硅的特性曲線。由圖可見，雙向可控硅的特性曲線是由一、三兩個象限內的曲線組合成的。***象限的曲線說明當加到主電極上的電壓使Tc對T1的極性為正時，我們稱為正向電壓，并用符號U21表示。當這個電壓逐漸增加到等于轉折電...

一個有趣的趨勢是將標準模塊升級為ipm?？芍苯踊蚴褂脦寗与娐罚ㄍㄟ^彈簧連接）的適配器板來進行升級。賽米控的skypertm驅動器是這方面理想的產品。 2、集成子系統(tǒng) 所有這些ipm的共同點是真實的“智能”，即將設定點值轉換成驅動脈沖序列的控制器不包含在模...

2010年，中國科學院微電子研究所成功研制國內***可產業(yè)化IGBT芯片，由中國科學院微電子研究所設計研發(fā)的15-43A /1200V IGBT系列產品（采用Planar NPT器件結構）在華潤微電子工藝平臺上流片成功，各項參數均達到設計要求，部分性能優(yōu)于國外...

其特點是：超前橋臂實現零電壓開通，原理不變；滯后橋臂實現零電流關斷，開關管兩端不再并聯(lián)電容，以避免開通時電容釋放的能量加大開通損耗。在此對移相全橋 ZVZCS PWM 變換器的基本原理做一簡要介紹。 [5]圖4 工作波形基本移相全橋 ZVZCS 電路及主要工作...

晶閘管（Thyristor）是一種半導體器件，廣泛應用于電力電子領域。它的主要功能是控制電流的開關，能夠在高電壓和大電流的條件下穩(wěn)定工作。晶閘管的基本結構由四層半導體材料（P-N-P-N結構）組成，具有三個PN結。晶閘管的工作原理是，當施加一個觸發(fā)信號到其門極...

多脈沖整流是指在一個三相電源系統(tǒng)中，輸出直流電壓在一個周期內多于6個波頭，通常有12、18、24脈沖。多脈沖整流器通常由移相整流變壓器和整流橋兩部分組成。輸入三相電壓通過變壓器移相，產生幾組三相電壓輸出到整流橋。多組三相整流橋相互連接，使得整流橋電路產生的諧波...

變壓器的設計一般只看額定容量，而不看額定功率，因為其電流只與額定容量有關。對于電壓源型變頻器，由于其輸入功率因數接近于1，所以額定容量與額定功率幾乎相等。電流源型變頻器則不然，其輸入側變壓器功率因數**多等于負載異步電機的功率因數，所以對于相同的負載電機，其額...

IGBT 的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，流過反向基極電流，使IGBT 關斷。IGBT 的驅動方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸...

有些驅動器只有一個輸出端，這就要在原來的Rg 上再并聯(lián)一個電阻和二極管的串聯(lián)網絡，用以調節(jié)2個方向的驅動速度。3、在IGBT的柵射極間接上Rge=10－100K 電阻，防止在未接驅動引線的情況下，偶然加主電高壓，通過米勒電容燒毀IGBT。所以用戶比較好再在IG...

晶閘管模塊：現代電力電子技術的關鍵器件在當今的電力電子技術領域，晶閘管模塊作為一種關鍵的功率半導體器件，扮演著舉足輕重的角色。它不僅在整流、調壓、逆變等電力轉換過程中發(fā)揮著重要作用，還在眾多工業(yè)應用領域中展現了其獨特的價值和優(yōu)勢。本文將深入探討晶閘管模塊的基本...

在這r1個分段TCR中，只有一個分段TCR的觸發(fā)角是受控的，其他的分段TCR要么是全導通，要么是全關斷，以吸收制定量的無功功率。由于每個分段TCR的電感增加了rl倍，因此受控TCR的容量就減小了n倍，受控TCR產生的諧波相對于額定基波電流也減小了n倍。采用上述...

1、智能功率模塊（ipms） 智能功率模塊的特點在于除了功率半導體器件外，還有驅動電路。許多ipm模塊也配備了溫度傳感器和電流平衡電路或用于電流測量的分流電阻。通常智能功率模塊也集成了額外保護和監(jiān)測功能，如過電流和短路保護，驅動器電源電壓控制和直流母線電壓測...

該電子為p+n-p晶體管的少數載流子，從集電極襯底p+層開始流入空穴，進行電導率調制（雙極工作），所以可以降低集電極－發(fā)射極間飽和電壓。在發(fā)射極電極側形成n+pn－寄生晶體管。若n+pn－寄生晶體管工作，又變成p+n－ pn+晶閘管。電流繼續(xù)流動，直到輸出側停...

IGBT電源模塊是一種復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，其**由MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管）和GTR（巨型晶體管）復合結構組成，兼具高輸入阻抗與低導通壓降的優(yōu)勢。該模塊廣泛應用于高壓變流系統(tǒng)，包括工業(yè)變頻器、電力牽引傳動裝置及智能電網設備等...

2010年，中國科學院微電子研究所成功研制國內***可產業(yè)化IGBT芯片，由中國科學院微電子研究所設計研發(fā)的15-43A /1200V IGBT系列產品（采用Planar NPT器件結構）在華潤微電子工藝平臺上流片成功，各項參數均達到設計要求，部分性能優(yōu)于國外...

橋式電路的特點是整流橋中有兩組：共陰極組和共陽極組，兩組共同串聯(lián)到負載上，因此適宜在高電壓、小電流情況下運行。如果電源大小合適，可不用變壓器。在低電壓、大電流情況下運行應是兩組三相半波電路的并聯(lián)結線（圖2d）。并聯(lián)后，利用變壓器繞組的適當連接，消除了直流磁化，...

fsw max. : 比較高開關頻率IoutAV :單路的平均電流QG : 門極電壓差時的 IGBT門極總電荷RG extern : IGBT 外部的門極電阻RG intern : IGBT 芯片內部的門極電阻但是實際上在很多情況下，數據手冊中這個門極電荷參數...

當運行點到達控制范圍的**右端，節(jié)點電壓進一步升高后將不能由控制系統(tǒng)來補償，因為TCR的電抗器已經處于完全導通狀態(tài)，所以運行點將沿著對應電抗器全導通(α=90°)的特性曲線向上移動，此時補償器運行在過負荷范圍，超過此范圍后，觸發(fā)控制將設置～個電流極限以防止晶閘...

由于整流變繞組電流是非正弦的含有很多高次諧波，為了減小對電網的諧波污染，為了提高功率因數，必須提高整流設備的脈波數，這可以通過移相的方法來解決。移相的目的是使整流變壓器二次繞組的同名端線電壓之間有一個相位移。整流變壓器***用于各類行業(yè)之中，主要分為照明、機床...

（2）動穩(wěn)定程度高：產品繞組有較高的機械強度，具有較強的抗突發(fā)能力，以滿足極惡劣的負載環(huán)境。在設計、制造過程中較好地消除了變壓器漏磁引起的或非正常運輸可能造成的動不穩(wěn)定源。產品具有較高的動穩(wěn)定性。高抗阻，比同容量的電力變壓器的阻抗高30%，以抑制di/dt，有...

導通壓降電導調制效應使電阻RN減小，使通態(tài)壓降小。關斷當在柵極施加一個負偏壓或柵壓低于門限值時，溝道被禁止，沒有空穴注入N-區(qū)內。在任何情況下，如果MOSFET電流在開關階段迅速下降，集電極電流則逐漸降低，這是因為換向開始后，在N層內還存在少數的載流子（少子）...

若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。實際上，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷...

整流橋一般帶有足夠大的電感性負載， 因此整流橋不出現電流斷續(xù)。 [1]一般整流橋應用時, 常在其負載端接有平波電抗器, 故可將其負載視為恒流源。 [2]多組三相整流橋相互連接，使得整流橋電路產生的諧波相互抵消。按整流變壓器的類型可以分為傳統(tǒng)的多脈沖變壓整流器和...

（五）按關斷速度分類：可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。（六）過零觸發(fā)-一般是調功，即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發(fā)，必須是過零點才觸發(fā)，導通可控硅。（七）非過零觸發(fā)-無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發(fā)導通可控硅，常見的是移相觸...

橋式電路的特點是整流橋中有兩組：共陰極組和共陽極組，兩組共同串聯(lián)到負載上，因此適宜在高電壓、小電流情況下運行。如果電源大小合適，可不用變壓器。在低電壓、大電流情況下運行應是兩組三相半波電路的并聯(lián)結線（圖2d）。并聯(lián)后，利用變壓器繞組的適當連接，消除了直流磁化，...

一種將交流電能轉變?yōu)橹绷麟娔艿陌雽w器件。通常它包含一個PN結，有正極和負極兩個端子。二極管**重要的特性就是單方向導電性。在電路中，電流只能從二極管的正極流入，負極流出。整流二極管(rectifier diode)一種用于將交流電轉變?yōu)橹绷麟姷陌雽w器件。二...

雙向可控硅可被認為是一對反并聯(lián)連接的普通可控硅的集成，工作原理與普通單向可控硅相同。雙向可控硅有兩個主電極T1和T2， 一個門極G， 門極使器件在主電極的正反兩個方向均可觸發(fā)導通，所以雙向可控硅在第1和第3象限有對稱的伏安特性。雙向可控硅門極加正、負觸發(fā)脈沖都...

一、結構與工作原理結構：晶閘管是由四層半導體材料（P-N-P-N）組成的三端器件，具有三個電極：陽極（A）、陰極（K）和控制極或稱為門極（G）。工作原理：當陽極接正向電壓，而控制極無觸發(fā)電壓或觸發(fā)電壓不足以使內部的三極管導通時，晶閘管處于阻斷狀態(tài)，電流不能流過...

三相整流橋是將數個整流管封在一個殼內，從而構成的一個完整整流電路。當功率進一步增加或由于其他原因要求多相整流時三相整流電路就被提了出來。三相整流橋分為三相整流全橋和三相整流半橋兩種。選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。對輸出電壓要求高的整流電路需要裝電容器，對...

該電子為p+n-p晶體管的少數載流子，從集電極襯底p+層開始流入空穴，進行電導率調制（雙極工作），所以可以降低集電極－發(fā)射極間飽和電壓。在發(fā)射極電極側形成n+pn－寄生晶體管。若n+pn－寄生晶體管工作，又變成p+n－ pn+晶閘管。電流繼續(xù)流動，直到輸出側停...