核反應(yīng)堆冷卻泵用無氧銅排采用 TU2 無氧銅,經(jīng) γ 射線輻照(劑量 10?Gy)后,導(dǎo)電率保持率≥90%,抗拉強(qiáng)度變化≤10%,適用于反應(yīng)堆一回路的輻射環(huán)境。其表面采用電鍍鎳 - 鉻合金(鎳層 50μm + 鉻層 5μm),耐硼酸溶液腐蝕性能達(dá) 10000 小時(shí),腐蝕速率≤0.005mm / 年。銅排截面尺寸 80mm×12mm,通過法蘭連接(螺栓預(yù)緊力 500N),密封性能達(dá) 1×10??Pa?m3/s,防止放射性介質(zhì)泄漏。滿足 RCC-M 核電設(shè)備標(biāo)準(zhǔn),可在 300℃、15MPa 的工況下長(zhǎng)期運(yùn)行,確保冷卻泵的無故障運(yùn)行時(shí)間(MTBF)達(dá) 10000 小時(shí),是核反應(yīng)堆的安全級(jí)關(guān)鍵部件。激...
遵循 ASTM B152 標(biāo)準(zhǔn)的 C10200 無氧銅排,以其≤0.001% 的氧含量和≥99.95% 的銅純度,成為 5G 基站射頻模塊的關(guān)鍵材料。在 28GHz 毫米波頻段,其獨(dú)特的晶體結(jié)構(gòu)使趨膚深度*為 0.06mm,通過表面電鍍 2μm 厚的銀層,可進(jìn)一步降低信號(hào)傳輸損耗 35%,插入損耗控制在 0.15dB/cm 以內(nèi),遠(yuǎn)優(yōu)于普通銅排。為適配基站內(nèi)部復(fù)雜的空間布局,C10200 無氧銅排采用數(shù)控折彎工藝,折彎半徑嚴(yán)格控制為厚度的 1.5 倍,角度公差 ±0.5°,確保多排并接時(shí)的阻抗匹配精度(50Ω±5%)。在基站電源系統(tǒng)中,其硬態(tài)(Y)版本的抗拉強(qiáng)度≥275MPa,可承受 50kA...
低溫環(huán)境用無氧銅排選用 TU1 超純無氧銅,在液氦(-269℃)和液氮(-196℃)環(huán)境下仍保持優(yōu)異的導(dǎo)電性能,導(dǎo)電率分別提升至 150% IACS 和 130% IACS,是超導(dǎo)磁體系統(tǒng)的理想電流引線材料。其采用深冷處理工藝(-196℃/24h),消除了內(nèi)應(yīng)力,在低溫下的線膨脹系數(shù)≤1.5×10??/℃,減少了與超導(dǎo)材料的熱失配。銅排與超導(dǎo)帶材的連接采用擴(kuò)散焊接工藝,界面電阻≤1nΩ?cm2,熱導(dǎo)≤10mW/(K?cm2),降低了從室溫到低溫的漏熱。在大型強(qiáng)子對(duì)撞機(jī)(LHC)等高能物理設(shè)備中,該銅排可傳輸 10000A 電流,且在 - 269℃下的機(jī)械性能保持穩(wěn)定(抗拉強(qiáng)度≥250MPa,伸...
高壓變頻器用無氧銅排采用 TU2 材質(zhì),設(shè)計(jì)為疊層母排結(jié)構(gòu)(正負(fù)排間距 5mm),雜散電感≤20nH,可有效抑制 IGBT 開關(guān)過程中的電壓尖峰(≤1.2 倍額定電壓)。其截面尺寸 50mm×10mm,導(dǎo)電率≥100% IACS,適配 6kV/1000kW 電機(jī)的變頻調(diào)速,轉(zhuǎn)換效率≥98.5%。表面采用絕緣紙(Nomex T410)包裹,耐電壓≥10kV,在海拔 1000 米以上地區(qū)仍保持絕緣性能。通過溫升測(cè)試(額定電流下 40K)和短時(shí)耐受電流測(cè)試(31.5kA/1s),滿足 GB/T 13499-2002 高壓變頻器標(biāo)準(zhǔn),使電機(jī)運(yùn)行能耗降低 30%。電動(dòng)叉車無氧銅排耐振動(dòng),續(xù)航達(dá) 100k...