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龍崗區(qū)發(fā)光二極管封裝

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2021-08-31

ESD靜電保護(hù)器件,封裝形式多樣化、型號(hào)星羅棋布,該如何正確選擇合適的ESD靜電保護(hù)二極管呢?1)ESD二極管的結(jié)電容CJ應(yīng)盡量選擇小的,避免影響通信質(zhì)量;2)ESD二極管的截止電壓VRWM大于被保護(hù)電路的最大工作電壓;3)要根據(jù)電路設(shè)計(jì)布局和被保護(hù)線路數(shù)來(lái)選擇合適的封裝形式,一般而言,ESD二極管封裝的大小在一定程度上,反應(yīng)器件的防護(hù)等級(jí),封裝越大可容納的ESD芯片面積也越大,防護(hù)等級(jí)也越高;4)ESD二極管有單、雙向之分,要根據(jù)工作的信號(hào)進(jìn)行選擇。單極性的可選擇任一極性的ESD二極管;而雙極性的則需選擇雙向的ESD二極管。穩(wěn)壓管是一種特殊的面接觸型半導(dǎo)體硅二極管。龍崗區(qū)發(fā)光二極管封裝

早期的二極管包含“貓須晶體("Cat's Whisker" Crystals)”以及真空管(英國(guó)稱為“熱游離閥(Thermionic Valves)”)?,F(xiàn)今**普遍的二極管大多是使用半導(dǎo)體材料如硅或鍺。外加正向電壓時(shí),在正向特性的起始部分,正向電壓很小,不足以克服PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)的阻擋作用,正向電流幾乎為零,這一段稱為死區(qū)。這個(gè)不能使二極管導(dǎo)通的正向電壓稱為死區(qū)電壓。當(dāng)正向電壓大于死區(qū)電壓以后,PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)被克服,二極管正向?qū)?,電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內(nèi),導(dǎo)通時(shí)二極管的端電壓幾乎維持不變,這個(gè)電壓稱為二極管的正向電壓。廣州抑制二極管特性將 TVS 二極管放置在信號(hào)線及接地間,能避免數(shù)據(jù)及控制總線受到不必要的噪音影響。

    快速恢復(fù)二極管(FastRecoveryDiode)是一種新型的半導(dǎo)體二極管。這種二極管的開(kāi)關(guān)特性好,反相恢復(fù)時(shí)間短,通常用于高頻開(kāi)關(guān)電源中作為整流二極管??焖倩謴?fù)二極管的特點(diǎn)就是它的恢復(fù)時(shí)間很短,這一特點(diǎn)使其適合高頻(如電視機(jī)中的行頻)整流??焖倩謴?fù)二極管有一個(gè)決定其性能的重要參數(shù)——反向恢復(fù)時(shí)間。反向恢復(fù)時(shí)間的定義是,二極管從正向?qū)顟B(tài)急劇轉(zhuǎn)換到截止?fàn)顟B(tài),從輸出脈沖下降到零線開(kāi)始。到反向電源恢復(fù)到大反向電流的10%所需要的時(shí)間,用符號(hào)表示。超快速恢復(fù)二極管(SRD)是在快速恢復(fù)二極管的基礎(chǔ)上研制的,它們的主要區(qū)別就是反向恢復(fù)時(shí)間更小。普通快速恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間為幾百納秒,超快速恢復(fù)二極管(SRD)的反向恢復(fù)時(shí)間一般為幾十納秒。數(shù)值越小的快速恢復(fù)二極管的工作頻率越高。當(dāng)工作頻率在幾十至幾百kHz時(shí),普通整流二極管正反向電壓變化的時(shí)間慢于恢復(fù)時(shí)間,普通整流二極管就不能正常實(shí)現(xiàn)單向?qū)ǘM(jìn)行整流工作了.此時(shí)就要用快速恢復(fù)整流二極管才能勝任,因此,彩電等家用電器采用開(kāi)關(guān)電源供電的整流二極管通常為快速恢復(fù)二極管,而不能用普通整流二極管代替,否則,用電器可能會(huì)不能正常工作。

多層板進(jìn)行ESD防護(hù)當(dāng)資金允許的情況下,選擇多層板也是一種有效防止ESD的一種手段。在多層板中,由于有了一個(gè)完整的地平面靠近走線,這樣可以使ESD更加快捷的耦合到低阻抗平面上,進(jìn)而保護(hù)關(guān)鍵信號(hào)的作用。電路板外面留保護(hù)帶的方法保護(hù)法這種方法通常是在電路板周圍畫(huà)出不加組焊層的走線。在條件允許的情況下將該走線連接至外殼,同時(shí)要注意該走線不能構(gòu)成一個(gè)封閉的環(huán),以免形成環(huán)形天線而引入更大的麻煩。采用有鉗位二極管的CMOS器件或者TTL器件進(jìn)行電路的保護(hù)這種方法是利用了隔離的原理進(jìn)行電路板的保護(hù),由于這些器件有了鉗位二極管的保護(hù),在實(shí)際電路設(shè)計(jì)中減小了設(shè)計(jì)的復(fù)雜度。多采用去耦電容些去耦電容要有低的ESL和ESR數(shù)值,對(duì)于低頻的ESD來(lái)說(shuō),去耦電容減小了環(huán)路的面積,由于其ESL的作用使電解質(zhì)作用減弱,可以更好的濾除高頻能量。TVS二極管的電容值卻比較高。

選擇靜電保護(hù)元件需要注意的參考系數(shù)我們常常會(huì)看到介紹ESD靜電保護(hù)器、ESD靜電釋放器、ESD靜電阻抗器、貼片壓敏電阻等產(chǎn)品,保護(hù)器件關(guān)鍵的參考系數(shù)是:1.快速響應(yīng)時(shí)間2.低箝位電壓3.高電流浪涌承受能力在選擇ESD靜電保護(hù)元件時(shí),仍應(yīng)該細(xì)致地做好實(shí)際的對(duì)比,以及運(yùn)用IEC61000-4-2測(cè)試來(lái)做驗(yàn)證。目前行業(yè)慣例是根據(jù)8us上升時(shí)間和20us持續(xù)時(shí)間的脈沖公布箝位電壓的,而真正的ESD脈沖應(yīng)該是1ns上升時(shí)間和60ns的持續(xù)時(shí)間。一種ESD保護(hù)方法是采用半導(dǎo)體二極管。ESD保護(hù)二極管被表征為低箝位電壓、低阻抗、快速導(dǎo)通時(shí)間和更好的可靠性。通常半導(dǎo)體二極管可以提供較好的ESD保護(hù),而且現(xiàn)在的二極管已經(jīng)可以做到1pF的等效電容,因此已經(jīng)成為可靠的ESD保護(hù)和良好的信號(hào)完整性的較好選擇。半導(dǎo)體二極管在電路中的使用能夠起到保護(hù)電路,延長(zhǎng)電路壽命等作用。龍華區(qū)抑制二極管檢測(cè)

TVS瞬態(tài)抑制二極管和ESD靜電二極管,這兩者工作原理是一樣,只是在功率、應(yīng)用場(chǎng)合、封裝形式方面截然不同。龍崗區(qū)發(fā)光二極管封裝

ESD靜電二極管參數(shù)詳解?VRWM:反向截止電壓、通俗地講,就是ESD允許施加的最大工作電壓,在該電壓下ESD處于截止?fàn)顟B(tài),此時(shí)ESD的漏電流很小,為幾微安甚至更低。?VBR:擊穿電壓,擊穿電壓是ESD要開(kāi)始動(dòng)作(雪崩擊穿)的電壓,一般在規(guī)定的電流下測(cè)量,通常在大小為1mA的電流下測(cè)量。?IR:反向漏電流,即在ESD器件兩端施加VRWM電壓下測(cè)得ESD的漏電流。?IPP:峰值脈沖電流,一般采用8/20μs的波形測(cè)量。?VC:鉗位電壓,在給定大小的IPP下測(cè)得ESD兩端的電壓。大部分ESD產(chǎn)品VC與VBR及IPP成正比關(guān)系。?CJ:結(jié)電容,ESD的結(jié)電容與ESD的芯片面積、工作電壓有關(guān)系。對(duì)于相同電壓ESD產(chǎn)品,芯片面積越大結(jié)電容越大;對(duì)于相同芯片面積的ESD,工作電壓越高結(jié)電容就越低。龍崗區(qū)發(fā)光二極管封裝

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