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中文名字高壓瓷片電容器英語名Highvoltageceramiccapacitor原理以結(jié)構(gòu)陶瓷為物質(zhì)的電容器文件目錄1基本要素?介紹?應(yīng)用領(lǐng)域2功效3潛在性安全隱患4優(yōu)勢高壓瓷片電容器基本要素編寫高壓瓷片電容器介紹常見于高壓場所。瓷器有I類瓷，II類瓷，III類瓷之分，I類瓷，NP0，溫度特點，頻率特點和工作電壓特點佳，因相對介電常數(shù)不高，因此容積做并不大；II類瓷，X7R其次，溫度特點和工作電壓特點不錯；III類瓷，相對介電常數(shù)高，因此容積能夠做非常大，但溫度特點和工作電壓特點不大好。瓷片電容器一般容積并不大。此外，再注重一個關(guān)鍵特性：瓷介電容器穿透后，通常呈短路故障情況。（它是它...

CEU系列）圖11:安全設(shè)計品的2項短路對策安全設(shè)計品（CEU系列）采用了預(yù)防產(chǎn)生裂紋以及預(yù)防發(fā)生短路的雙重安全設(shè)計，是一款安全性zui高的MLCC。第yi，端子電極擁有導(dǎo)電性樹脂層，通過該樹脂電極層吸收基板彎曲及熱膨脹導(dǎo)致的壓力，從而防止產(chǎn)生裂紋。第二，在內(nèi)部電極結(jié)構(gòu)中，采用與串聯(lián)2個電容器擁有相同效果的結(jié)構(gòu)，即使突然發(fā)生電容器元件體裂紋，也能大幅減少短路風(fēng)險。此外，由于產(chǎn)品滿足AEC-Q200，因此還可用于車載用途。通過替換一般產(chǎn)品簡單提高安全性安全設(shè)計品(CEU系列)通過其雙重故障安全功能功能，在流過大電流的電源線中，通過與一般產(chǎn)品替換便可簡單提高安全性。同時，原本需要串聯(lián)2個一...

工作電壓從5V～500V。從25℃到高溫極限，容量增加不超過5％～10％；對于－40℃極限的電容，在－40℃時，低壓電容的容量會下降20％，高壓電容則下降有40％之多；在－20℃到－40℃溫度區(qū)間時，容量下降zui快；對于－55℃極限的電容，在－40℃時，下降通常不超過10％；在－55℃時，不超過20％。ESR100kHz/25℃下，ESR值一般在幾十mΩ～Ω，LowESR型號的一般幾十mΩ。ESR值隨著溫度的變化而變化，一般從25℃到高溫極限，ESR會下降大約35％～50％；而從25℃到低溫極限，ESR會增大10到100倍。ESL鋁電解電容的寄生串聯(lián)電感值ESL，其值較為穩(wěn)定，并不隨...

有的電極化指數(shù)達到好幾千皮法，這促使瓷介電容器的容積能夠做得不大，假如選用多層疊的方法，電容器的容積可拓展非常大。7）陶瓷電容的瓷物質(zhì)原材料不能打卷，電容器自身不感應(yīng)起電理性，那樣生產(chǎn)制造出去的陶瓷電容高頻率特點較高，普遍用以航空航天、通訊、電源開關(guān)電源變壓器等行業(yè)。8）陶瓷電容的耗損角正切值與頻率的關(guān)聯(lián)不大，耗損值不隨頻率的上升而升高。可是，它的沖擊韌性低，非常容易裂開毀壞。在許多身旁的電子設(shè)備里，常常會采用各自正溫度系數(shù)或負溫度系數(shù)的電容器，在正溫度洗漱間上升，電阻器也隨著升高，而負溫度系數(shù)則相反。這時陶瓷電容**關(guān)鍵是溫度補償，陶瓷電容也是瓷介電容，成圓塊狀，色調(diào)多是深藍色。陶瓷...

***類介質(zhì)電容器的容許工作電壓、電流量與頻率的關(guān)聯(lián)***類介質(zhì)電容器的容許工作電壓、電流量與頻率的講解當(dāng)載入頻率相對性較低時，即便載入交流電流為額定值交流電流時，穿過電容器的電流量小于額定電壓時，電容器容許載入額定值交流電流，即左圖的豎直一部分；當(dāng)載入頻率上升到即便載入工作電壓沒有做到溝通交流額定電流時的電容器中穿過的交流電路已做到額定電壓值，它是必須減少電容器的載入交流電流，以確保穿過電容器的電流量不超過額定電壓值，即左圖的曲線圖剛開始降低一部分；而載入頻率再次升高，電容器的耗損因素而造成的發(fā)燙則變成電容器的載入工作電壓的關(guān)鍵限定要素，它是載入工作電壓將隨頻率的升高而驟降，即中左圖...

BaTi03具有鐵電、壓電、正溫度系數(shù)效應(yīng)等優(yōu)異的電學(xué)性能,使其成為電子工業(yè)和陶瓷工業(yè)中的關(guān)鍵材料,目前BaTi03在電子陶瓷工業(yè)應(yīng)用zui廣、zui具發(fā)展?jié)摿Φ念I(lǐng)域就是陶瓷電容器。近年來,BT基介電材料占陶瓷電容器總消耗量的90%以上。隨著電子產(chǎn)品小型化進程的快速發(fā)展,電子元器件的小型化和微型化需求凸現(xiàn)出來,結(jié)構(gòu)緊湊的陶瓷電容器受到青昧。為增加小體積元件中的電荷容量,一個元件中,介質(zhì)材料與電極夾層化和多層化的設(shè)計得到普及。這種陶瓷介質(zhì)(如(Sr,Ba)Ti03)與金屬電極(如Ag,Pd//Ag,Ni或Cu等)交錯疊層形成多層陶瓷電容器(MLCC)。其主要的工業(yè)應(yīng)用在外電場的作用下能形...

海視達制造經(jīng)驗豐富的陶瓷電容器,的制造商和出口商，工廠位于蘇州。我們一貫供應(yīng)和出口高品質(zhì)產(chǎn)品，并通過公司上下員工的一致努力和恪守公平交易的商業(yè)信念，不斷改良產(chǎn)品的制造工藝和我們的工作環(huán)境。帶著我們對客戶的熱誠和辛勤工作，我們保證產(chǎn)品的質(zhì)量符合國際標準。如果您對我們?nèi)我豢钍礁信d趣，歡迎您隨時和我們聯(lián)系。我們的宗旨是通過按客戶原樣或高于客戶要求提供優(yōu)zhi的陶瓷電容器產(chǎn)品和服務(wù)來實現(xiàn)客戶對我們產(chǎn)品的滿意。我們致力于滿足從中小型企業(yè)到大型公司不同客戶群對絲帶產(chǎn)品的制造要求。作為zhu名的制造商，出口商，在這一領(lǐng)域的進口商和供應(yīng)商之一，我們提供我們的客戶zui優(yōu)zhi的陶瓷電容器。我們在處理各...

超高儲能密度無鉛多層陶瓷電容器陶瓷基多層電容器具有高能量功率和極速的充放電速率，廣泛應(yīng)用于醫(yī)療、交通和脈沖功率器件等領(lǐng)域。相對于聚合物或玻璃基儲能電解質(zhì)材料，盡管陶瓷基電容器擁有較好的溫度穩(wěn)定性和高極化強度等優(yōu)勢，但目前面臨的主要問題是低能量轉(zhuǎn)換效率以及低材料擊穿場強而導(dǎo)致較低的能量儲存密度。近些年來，針對無鉛反鐵電或鐵電陶瓷基材料，科學(xué)家們通過摻雜或者固溶的方法，努力在盡可能較少降低極化強度的同時，極大提高能量轉(zhuǎn)換效率和擊穿場強。但和聚合物基儲能材料相比，過低的材料本征擊穿場強極大限制了陶瓷基電介質(zhì)儲存電能的能力。因此，在保持高極化強度和充放電速率的同時，能否控制并提高陶瓷基材料本征...

但是如果在損傷部位存在雜質(zhì)離子或其他缺陷，使填平修復(fù)工作無法完善，則在陽極氧化膜上會留下微孔，甚至可能成為穿透孔，使鋁電解電容擊穿。工藝缺陷如陽極氧化膜不夠致密與牢固，在后續(xù)的鉚接工藝不佳時，引出箔條上的毛刺刺傷氧化膜，這些刺傷部位漏電流很大，局部過熱使電容器產(chǎn)生熱擊穿。3.開路當(dāng)電容器內(nèi)部的連接性能變差或失效時，通常就會發(fā)生開路。電性能連接變差的產(chǎn)生可能是腐蝕、振動或機械應(yīng)力作用的結(jié)果。當(dāng)鋁電解電容在高溫或潮熱的環(huán)境中工作時，陽極引出箔片可能會由于遭受電化學(xué)腐蝕而斷裂。陽極引出箔片和陽極箔的接觸不良也會使電容器出現(xiàn)間歇開路。4.其他1）在工作早期，鋁電解電容器由于在負荷工作過程中電解...

三種常見的陶瓷電容器及其特點陶瓷電容器是以陶瓷材料為介質(zhì)的電容器的總稱，品種繁多，外形尺寸相差甚大。按使用電壓可分為高壓，中壓和低壓陶瓷電容器。按溫度系數(shù)，介電常數(shù)不同可分為負溫度系數(shù)、正溫度系數(shù)、零溫度系數(shù)、高介電常數(shù)、低介電常數(shù)等。一般陶瓷電容器和其他電容器相比，具有使用溫度較高，比容量大，耐潮濕性好，介質(zhì)損耗較小，電容溫度系數(shù)可在大范圍內(nèi)選擇等優(yōu)點。廣fan用于電子電路中，用量十分可觀。本文將介紹三種常見的陶瓷電容器及其特點。1、半導(dǎo)體陶瓷電容器的特點表面層陶瓷電容器，電容器的微小型化，即電容器在盡可能小的體積內(nèi)獲得盡可能大的容量，這是電容器發(fā)展的趨向之一。對于分離電容器組件來說...

EIA）標準的Z5U、Y5V以及我國標準的CT系列的低檔產(chǎn)品型號等陶瓷介質(zhì)（溫度系數(shù)為Z5U的+22%，-56%和Y5V的+22%，-82%），這種介質(zhì)的介電系數(shù)隨溫度變化較大，不適用于定時、振蕩等對溫度系數(shù)要求高的場合，但由于其介電系數(shù)可以做得很大（可以達到1000~12000），因而電容量可以做得比更大，適用于一般工作環(huán)境溫度要求（-25~+85℃）的耦合、旁路和濾波。通常1206表面貼裝Z5U、Y5V介質(zhì)電容器量甚至可以達到100μF，在某種意義上是取代鉭電解電容器的有力競爭對手。陶瓷電容器的溫度特性應(yīng)用陶瓷電容器首先要注意的就是其溫度特性；不同材料的陶瓷介質(zhì)，其溫度特性有極大的...

其抗壓及耐電流量特性是較弱的。經(jīng)實驗發(fā)覺，儲放時間長的高壓瓷器電容器，其耗損角值會越來越更小，高頻率特點也會更好。高壓陶瓷電容特性編寫高壓產(chǎn)生器要采用許多高壓陶瓷電容器和大空間高壓電容器。傳統(tǒng)式應(yīng)用，顧客們一般都應(yīng)用高壓塑料薄膜類的電容器，可是伴隨著陶瓷電容的優(yōu)點持續(xù)反映，未來，塑料薄膜電容器將越來越低的出現(xiàn)在高壓產(chǎn)生器中。高壓塑料薄膜類電容器與高壓陶瓷電容器的分別好壞，主要是以下幾個方面：1、高壓陶瓷電容的使用期更長。塑料薄膜電容的使用壽命也就是三兩年，電好的商品也不會超過五年。而高壓陶瓷電容器則不一樣，比如說帝科電容就公布服務(wù)承諾：按二十年設(shè)計方案，**少確保應(yīng)用十年。2、高壓陶瓷...

使其產(chǎn)生的電磁場均勻分布則成為急需解決的技術(shù)難題。技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種陶瓷電容器的均壓裝置，在高壓智能電網(wǎng)中使用時，可使陶瓷電容器電極兩端的電磁場均勻分布，在工作狀態(tài)下，降低對傳輸信號的干擾。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供的技術(shù)方案是一種一種高壓陶瓷電容器的均壓裝置，包括陶瓷芯片、陶瓷芯片兩端端面的導(dǎo)電層及設(shè)置在導(dǎo)電層上的電極，其特征在于在所述陶瓷芯片兩端的電極上分別設(shè)置有導(dǎo)電的均壓裝置，所述均壓裝置覆蓋所述導(dǎo)電層。所述均壓裝置與所述導(dǎo)電層間留有間隙。所述間隙寬度。所述均壓裝置上圍繞所述電極，至少開設(shè)有一圈數(shù)個間隔均勻分布的排氣孔。所述均壓裝置為導(dǎo)電圓片。所...

本發(fā)明涉及電子元器件領(lǐng)域，尤其涉及高壓陶瓷電容器的均壓裝置。背景技術(shù)：陶瓷電容器，一般為片狀、圓柱狀結(jié)構(gòu)。以陶瓷材料為介質(zhì)進行成型燒結(jié)，然后在兩端涂覆導(dǎo)電層，再在導(dǎo)電層上設(shè)置電極，然后通過絕緣樹脂進行封裝。電極作為陶瓷電容器的引出端為外部電路連接。高壓脈沖陶瓷電容器一般使用在電力行業(yè)或軍工行業(yè)中，可起到計量、分壓、儲能等作用。目前在高壓智能包括電網(wǎng)中使用的一種高壓陶瓷電容器，包括陶瓷電容器芯片，陶瓷芯片的兩端涂覆有導(dǎo)電層，導(dǎo)電層一般通過涂覆銀漿然后燒結(jié)而成。在導(dǎo)電層的中心部位設(shè)置有電極。電極結(jié)構(gòu)一般包括與導(dǎo)電層接觸的圓形基座，及在圓形基座上設(shè)置的與外部電路連接的電極連接部。然后在陶瓷芯...

因此大家見到的一般全是μF、nF、pF的企業(yè)，而不是F的企業(yè)。她們中間的實際計算以下：1F=1000000μF1μF=1000nF=F·電容的標記：電容的標記一樣分成中國標表示法和國際性電子符號表示法，但電容標記在中國和國際性表明都類似，***的差別便是在有旋光性電容上，中國的是一個空筐下邊一根水平線，而國際性的便是一般電容加一個“+”符號**正級。高壓陶瓷電容功效編寫高壓陶瓷電容具備耐磨損直流電高壓的特性，適用高壓旁通和耦合電路中，在其中的低損耗高壓圓片具備較低的介電損耗，尤其合適在電視機***和掃描儀等電源電路中應(yīng)用。高壓瓷磚電容要是對于于高頻率，高壓瓷磚電容在于應(yīng)用在什么場所，典...

產(chǎn)品搜索內(nèi)容已更新。會員網(wǎng)站myMurataCeramicCapacitorSite上更新Web標準型號/產(chǎn)品信息數(shù)據(jù)。更新環(huán)境相關(guān)資料。產(chǎn)品搜索內(nèi)容已更新。會員網(wǎng)站myMurataCeramicCapacitorSite上更新Web標準型號/產(chǎn)品信息數(shù)據(jù)。會員網(wǎng)站myMurataCapacitorSite上更新SGS報告（GRMSeries）。產(chǎn)品搜索內(nèi)容已更新。會員網(wǎng)站myMurataCeramicCapacitorSite上更新Web標準型號/產(chǎn)品信息數(shù)據(jù)。[視頻]MurataTechTalk–小型大容量MLCC已更新。新聞開發(fā)0201M尺寸的大容量μF多層陶瓷電容器PDF產(chǎn)品目...

使其產(chǎn)生的電磁場均勻分布則成為急需解決的技術(shù)難題。技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種陶瓷電容器的均壓裝置，在高壓智能電網(wǎng)中使用時，可使陶瓷電容器電極兩端的電磁場均勻分布，在工作狀態(tài)下，降低對傳輸信號的干擾。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供的技術(shù)方案是一種一種高壓陶瓷電容器的均壓裝置，包括陶瓷芯片、陶瓷芯片兩端端面的導(dǎo)電層及設(shè)置在導(dǎo)電層上的電極，其特征在于在所述陶瓷芯片兩端的電極上分別設(shè)置有導(dǎo)電的均壓裝置，所述均壓裝置覆蓋所述導(dǎo)電層。所述均壓裝置與所述導(dǎo)電層間留有間隙。所述間隙寬度。所述均壓裝置上圍繞所述電極，至少開設(shè)有一圈數(shù)個間隔均勻分布的排氣孔。所述均壓裝置為導(dǎo)電圓片。所...

將鉭電解電容器換成片狀多層陶瓷電容器，這樣做的理由主要有兩個。第yi是可靠性問題。鉭電解電容器存在發(fā)生短路故障時導(dǎo)致冒煙和起火的可能性。出現(xiàn)冒煙和起火現(xiàn)象時，對于配備鉭電解電容器的電子產(chǎn)品而言是致命的。另一個是原材料鉭的問題。鉭屬于稀有金屬，其產(chǎn)地在全世界屈指可數(shù)。因此，如果產(chǎn)地出現(xiàn)證zhi動蕩等，就會陷入價格暴漲、供給不穩(wěn)定的局面。只要原材料是稀有金屬，鉭電解電容器用戶就不可能完全避免此類風(fēng)險。而解決這些問題的對策就是用片狀多層陶瓷電容器來取代鉭電解電容器。片狀多層陶瓷電容器發(fā)生冒煙和起火的可能性要遠遠低于鉭電解電容器。另外由于不使用稀有金屬，價格和供給都更加穩(wěn)定。而且還有一些鉭電解...

滲入電容器內(nèi)部的水分子產(chǎn)生電解。在陽極產(chǎn)生氧化反應(yīng)，銀離子與氫氧根離子結(jié)合生產(chǎn)氫氧化銀；在陰極產(chǎn)生還原反應(yīng)，氫氧化銀與氫離子反應(yīng)生成銀和水。由于電極反應(yīng)，陽極的銀離子不斷向陰極還原成不連續(xù)金屬銀粒，靠水膜連接成樹狀向陽極延伸。銀離子遷移不僅發(fā)生在無機介質(zhì)表面，還能擴散到無機介質(zhì)內(nèi)部，引起漏電流增大，嚴重時可使用兩個銀電極之間完全短路，導(dǎo)致電容器擊穿。離子遷移可嚴重破壞正電極表面銀層，引線焊點與電極表面銀層之間，間隔著具有半導(dǎo)體性質(zhì)的氧化銀，使無介質(zhì)電容器的等效串聯(lián)電阻增大，金屬部分損耗增加，電容器的損耗角正切值顯著上升。由于正電極有效面積減小，電容器的電容量會因此而下降。表面絕緣電阻則...

高壓瓷片電容器的絕緣電阻高壓瓷片電容器的絕緣電阻取決于介質(zhì)材料配方、工藝過程（燒結(jié)）和測量時的溫度。所有介質(zhì)的絕緣電阻都會隨溫度的提高而下降，在低溫（-55℃）到高溫（125℃）的MIL溫度特性范圍內(nèi)可以觀察到一個非常大的下降過程。測量瓷片電容器絕緣電阻的時需要重點考慮絕緣電阻與電容量的關(guān)系。電容量值與絕緣電阻成反比，即電容量越高，絕緣電阻越低。這是因為電容量與漏電流大小是相互成正比的，可以用歐姆定律和比體積電容關(guān)系加以說明。歐姆定律表述了導(dǎo)體中電流（I），電壓（V）和電阻（R）之間的關(guān)系：I=V/R但是，電阻（R）是一個與尺寸有關(guān)的物理量，也與材料本征的電阻率有關(guān)，如下所示：R=ρL...

在陶瓷基片上采用化學(xué)鍍鎳工藝。由于鎳的化學(xué)穩(wěn)定性比銀好，電遷移率低，提高了陶瓷電容器的性能和可靠性。又如，以銀做電極的獨石低頻瓷介質(zhì)電容器，由于銀電極和瓷料在900℃下一次燒結(jié)時瓷料欠燒不能獲得致密的陶瓷介質(zhì)，存在較大的氣孔率；此外銀電極常用的助溶劑氧化鋇會滲透到瓷體內(nèi)部，在高溫下依靠氧化鋇和銀之間良好的浸潤“互熔”能力，使電極及介質(zhì)內(nèi)部出現(xiàn)熱擴散現(xiàn)象，即宏觀上看到的“瓷吸銀”現(xiàn)象。銀伴隨著氧化鋇進入瓷體中后，大da減薄了介質(zhì)的有效厚度，引起產(chǎn)品絕緣電阻的減少和可靠性的降低。為了提高獨石電容器的可靠性，改用銀-鈀電極代替通常含有氧化鋇的電極，并且在材料配方中添加了1%的5#玻璃粉。消除...

由于內(nèi)部回復(fù)力（如極化產(chǎn)生的內(nèi)應(yīng)力的釋放等）作用，各晶粒自發(fā)極化只能在一定程度上按原外電場方向取向，陶瓷內(nèi)的極化強度不再為零，如圖(c)。這種極化強度，稱為剩余極化。與單位體積內(nèi)的自發(fā)極化的相轉(zhuǎn)變相同的是電容率，可視為靜電容量進行觀測。當(dāng)沒有外加直流電壓時，自發(fā)極化為隨機取向狀態(tài)，但當(dāng)從外部施加直流電壓時，由于電介質(zhì)中的自發(fā)極化受到電場方向的束縛，因此不易發(fā)生自發(fā)極化時的自由相轉(zhuǎn)變。其結(jié)果導(dǎo)致，得到的靜電容量較施加偏壓前低。這就是當(dāng)施加了直流電壓后，靜電容量降低的原理。此外，對于溫度補償用電容器（CH、SL特性等），以常誘電性（低介電常數(shù)）陶瓷作為主要原料，靜電容量不因直流電壓特性而發(fā)...

由于內(nèi)部回復(fù)力（如極化產(chǎn)生的內(nèi)應(yīng)力的釋放等）作用，各晶粒自發(fā)極化只能在一定程度上按原外電場方向取向，陶瓷內(nèi)的極化強度不再為零，如圖(c)。這種極化強度，稱為剩余極化。與單位體積內(nèi)的自發(fā)極化的相轉(zhuǎn)變相同的是電容率，可視為靜電容量進行觀測。當(dāng)沒有外加直流電壓時，自發(fā)極化為隨機取向狀態(tài)，但當(dāng)從外部施加直流電壓時，由于電介質(zhì)中的自發(fā)極化受到電場方向的束縛，因此不易發(fā)生自發(fā)極化時的自由相轉(zhuǎn)變。其結(jié)果導(dǎo)致，得到的靜電容量較施加偏壓前低。這就是當(dāng)施加了直流電壓后，靜電容量降低的原理。此外，對于溫度補償用電容器（CH、SL特性等），以常誘電性（低介電常數(shù)）陶瓷作為主要原料，靜電容量不因直流電壓特性而發(fā)...

已制備出超薄層賤金屬內(nèi)電極MLCC產(chǎn)品，陶瓷介質(zhì)單層厚度約為3μm。3．大容量化、高頻化一方面，伴隨半導(dǎo)體器件低壓驅(qū)動和低功耗化，集成電路的工作電壓已由5V降低到3V和V；另一方面，電源小型化需要小型、大容量產(chǎn)品以替代體積大的鋁電解電容器。為了滿足這類低壓大容量MLCC的開發(fā)與應(yīng)用，在材料方面，已開發(fā)出相對介電常數(shù)比BaTiO3高1～2倍的弛豫類高介材料。在開發(fā)新產(chǎn)品過程中，同時發(fā)展了三種關(guān)鍵技術(shù)，即制取超薄生片粉料分散技術(shù)、改善生片成膜技術(shù)和內(nèi)電極與陶瓷生片收縮率相匹配技術(shù)。zui近日本的松下電子組件公司成功研制出電容量zui大為100μF，zui高耐壓為25V的大容量MLCC，該產(chǎn)...

比如英文字母C）溫度系數(shù)α的有效數(shù)字；第二位一部分有效數(shù)字的倍乘（如0即是100）；第三部分成隨溫度轉(zhuǎn)變的容時容差（以ppm/℃表明）。這三一部分的英文字母與數(shù)據(jù)所表述的實際意義如表。比如，C0G（有時候也稱之為NP0）表明為：***位英文字母C為溫度系數(shù)的有效數(shù)字為0，第二位數(shù)字0為合理溫度系數(shù)的倍乘為100=1，第三位英文字母G為隨溫度轉(zhuǎn)變的容時容差為±30ppm/℃，即0±30ppm/℃；C0H各自表明為：***位英文字母C為溫度系數(shù)的有效數(shù)字為0，第二位數(shù)字0為合理溫度系數(shù)的倍乘為100=1，第三位英文字母H為隨溫度轉(zhuǎn)變的容時容差為±60ppm/℃，即0±60ppm/℃；S2H...

分別固定安裝在陶瓷芯片兩端的電極上，其與陶瓷芯片兩端端面間隔平行設(shè)置，其與導(dǎo)電層間留有的間隙間距約～，通常選間隙間距。在本實施例中，均壓裝置為導(dǎo)電圓片，該導(dǎo)電圓片的外徑略大于陶瓷芯片直徑。在導(dǎo)電圓片對應(yīng)電極位置處開設(shè)有帶有內(nèi)螺紋的圓孔，導(dǎo)電圓片螺鎖在電極上實現(xiàn)固定。陶瓷芯片兩端電極上安裝的導(dǎo)電圓片材質(zhì)、尺寸相同，其安裝后距離陶瓷芯片導(dǎo)電層的間距均相同。在導(dǎo)電圓片上圍繞電極至少開設(shè)有一圈數(shù)個均勻間隔分布的透孔5。透孔的作用為，在澆注時，導(dǎo)電圓片與陶瓷芯片導(dǎo)電層之間的澆注料的空氣氣泡可通過導(dǎo)電圓片上的透孔向外排出，避免導(dǎo)電圓片與陶瓷芯片導(dǎo)電層間澆注料的氣泡產(chǎn)生或澆注未填滿間隙的不良現(xiàn)象發(fā)生...

折疊編輯本段定義高壓陶瓷電容器,顧名思義,是以介電陶瓷為**材料的環(huán)氧樹脂灌封的電容器.隨著時代有進步與科技發(fā)展,高壓陶瓷電容器主要是指交流工作電壓10KV以上的電容器,或者直流工作電壓達到40KV以上的陶瓷電容器.(以往通常把250V或400V的Y電容也劃分為高壓陶瓷電容器.)折疊編輯本段種類高壓陶瓷電容器根據(jù)他的用途與不同外觀,可分為引線型,螺栓型,片腳型,交流型,直流型,高功率型等.這里我們主要就交流應(yīng)用與直流應(yīng)用兩方面進行闡述.一,民用直流高壓陶瓷電容器,主要應(yīng)用在機械設(shè)備檢測儀器中.如X-RAY,CT機,直流高壓發(fā)生器,主要做倍壓,分壓,濾,耦合,載波等作用.直流高壓陶瓷電容...

這些帶表了將這些鉭礦石加工制成電容器級粉末、鉭制品磨損件或切削工具的眾多公司。從美國國防后勤署購買這些鉭礦石的投標人年復(fù)一年傳統(tǒng)上是一貫的，這樣當(dāng)鉭礦石供應(yīng)變的吃緊時，因美國國防后勤署供應(yīng)耗盡，一些公司只得搶奪新的礦石供應(yīng)源。為什么這是一個很重要的發(fā)展方向？如果失去美國國防后勤署的鉭礦石供應(yīng)，估計2007年鉭礦石供應(yīng)市場留下150，000磅的缺口，2008年缺口為350，000磅。這個事件發(fā)生的時間不合時宜，因為現(xiàn)在的供應(yīng)能力窘迫。比如第二大硬研礦石賣主澳大利亞的瓜利亞子公司在第四季度已總體削減礦石產(chǎn)量25%（即格林布什礦產(chǎn)量的一半），以便該公司能完成在澳大利亞的管理事宜。同樣情形，在...

因為擊穿時局部發(fā)熱嚴重，較薄的管壁或較小的瓷體容易燒毀或斷裂。此外，以二氧化鈦為主的陶瓷介質(zhì)中，負荷條件下還可能產(chǎn)生二氧化鈦的還原反應(yīng)，使鈦離子由四價變?yōu)槿齼r。陶瓷介質(zhì)的老化顯著降低了電容器的介電強度，可能引起電容器擊穿。因此，這種陶瓷電容器的電解擊穿現(xiàn)象比不含二氧化鈦的陶瓷介質(zhì)電容器更加嚴重。銀離子遷移使電容器極間邊緣電場發(fā)生嚴重畸變，又因高濕度環(huán)境中陶瓷介質(zhì)表面凝有水膜，使電容器邊緣表面電暈放電電壓顯著下降，工作條件下產(chǎn)生表面極間飛弧現(xiàn)象。嚴重時導(dǎo)致電容器表面極間飛弧擊穿。表面擊穿與電容結(jié)構(gòu)、極間距離、負荷電壓、保護層的疏水性與透濕性等因素有關(guān)。邊緣表面極間飛弧擊穿的主要原因是，介...

C0H分別表示為：第yi位字母C為溫度系數(shù)的有效數(shù)字為0，第二位數(shù)字0為有效溫度系數(shù)的倍乘為100=1，第三位字母H為隨溫度變化的容差為±60ppm/℃，即0±60ppm/℃；S2H則分別表示為：第yi位字母S為溫度系數(shù)的有效數(shù)字為，第二位數(shù)字2為有效溫度系數(shù)的倍乘為102=100，第三位字母H為隨溫度變化的容差為±60ppm/℃，即－330±60ppm/℃第yi類陶瓷電容器的電容量幾乎不隨溫度變化，下面以C0G介質(zhì)為例。C0G介質(zhì)的變化量僅0±30ppm/℃，實際上C0G的電容量隨溫度變化小于0±30ppm/℃，大約為0±30ppm/℃的一半第二類陶瓷介質(zhì)電容器的溫度性質(zhì)根據(jù)美國標準...