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Y1Y2電容器在電腦板上的應(yīng)用：從電路圖看。電路從電感出來到兩個(gè)Cy（Cy1,Cy2）,這兩個(gè)就是Y電容。它們一-端接地。一端連接零線和火線。他們是抗兩條電源線對(duì)地的干擾。專業(yè)術(shù)語叫做共模干擾。(Cx是抗兩條電源線之間的干擾。專業(yè)術(shù)語叫做串模干擾。)在零線，火線和地線之間接入的電容。也就是這兩個(gè)Y電容。雖然能yi制共模干擾，但是同時(shí)也給供電電流提供了一個(gè)漏電的通道。如圖，這兩個(gè)電容另一端是連接地線的。所以為控制漏電電流值。接入的電容量就要盡可能的小。所以Y電容的總?cè)萘恳话愣家刂圃?。而?duì)一一些特殊用途的電源中Y電容,比如說醫(yī)療器械。就會(huì)控制在470pF以下。另外電容的引腳要盡可能的短。...

整個(gè)溫度范圍容量很穩(wěn)定，溫度也是-55~125度，適用于振蕩器，超高頻濾波去耦，但容量一般做不大，幾千個(gè)pF吧。陶瓷電容器又分為高頻瓷介電容器和低頻瓷介電容器兩種。具有小的正電容溫度系數(shù)的電容器，用于高穩(wěn)定振蕩電路中，作為回路電容器。低頻瓷介電容器用在對(duì)穩(wěn)定性和損耗要求不高的場(chǎng)合或工作頻率較低的回路中起旁路或隔直流作用，它易被脈沖電壓擊穿，故不能使用在脈沖電路中。高頻瓷介電容器適用于高頻電路。陶瓷電容器的溫度特性應(yīng)用陶瓷電容器首先要注意的就是其溫度特性；不同材料的陶瓷介質(zhì)，其溫度特性有極大的差異。第yi類陶瓷介質(zhì)電容器的溫度性質(zhì)根據(jù)美國標(biāo)準(zhǔn)EIA-198-D，在用字母或數(shù)字表示陶瓷電容...

有的電極化指數(shù)達(dá)到好幾千皮法，這促使瓷介電容器的容積能夠做得不大，假如選用多層疊的方法，電容器的容積可拓展非常大。7）陶瓷電容的瓷物質(zhì)原材料不能打卷，電容器自身不感應(yīng)起電理性，那樣生產(chǎn)制造出去的陶瓷電容高頻率特點(diǎn)較高，普遍用以航空航天、通訊、電源開關(guān)電源變壓器等行業(yè)。8）陶瓷電容的耗損角正切值與頻率的關(guān)聯(lián)不大，耗損值不隨頻率的上升而升高。可是，它的沖擊韌性低，非常容易裂開毀壞。在許多身旁的電子設(shè)備里，常常會(huì)采用各自正溫度系數(shù)或負(fù)溫度系數(shù)的電容器，在正溫度洗漱間上升，電阻器也隨著升高，而負(fù)溫度系數(shù)則相反。這時(shí)陶瓷電容**關(guān)鍵是溫度補(bǔ)償，陶瓷電容也是瓷介電容，成圓塊狀，色調(diào)多是深藍(lán)色。陶瓷...

溫度補(bǔ)償型電容也針對(duì)電容的溫度系數(shù)有三個(gè)字的識(shí)別碼，但規(guī)則和上述的不同。第yi個(gè)字表示電容隨溫度的變動(dòng)量，以ppm/°C來表示，第二個(gè)字是其10的乘冪，第二個(gè)字是電容隨溫度的變動(dòng)量（以ppm/°C來表示）的比較大允許誤差，所以數(shù)值均是以25至85 °C為準(zhǔn)：比較高位數(shù)字乘冪允許誤差C: 0.00: -1G: ±30B: 0.31: -10H: ±60L: 0.82: -100J: ±120A: 0.93: -1000K: ±250M: 1.04: +1L: ±500P: 1.56: +10M: ±1000R: 2.27: +100N: ±2500S: 3.38: +1000T: 4.7V:...

國內(nèi)外研制成功的高壓陶瓷電容器已經(jīng)廣fan應(yīng)用于電力系統(tǒng)、激光電源、磁帶錄像機(jī)、彩電、電子顯微鏡、復(fù)印機(jī)、辦公自動(dòng)化設(shè)備、宇航、導(dǎo)彈、航海等方面。高壓陶瓷電容器的瓷料主要有鈦酸鋇基和鈦酸鍶基兩大類。鈦酸鋇基陶瓷材料具有介電系數(shù)高、交流耐壓特性較好的優(yōu)點(diǎn)，但也有電容變化率隨介質(zhì)溫度升高、絕緣電阻下降等缺點(diǎn)。鈦酸鍶晶體的居里溫度為-250℃，在常溫下為立方晶系鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，是順電體，不存在自發(fā)極化現(xiàn)象，在高電壓下鈦酸鍶基陶瓷材料的介電系數(shù)變化小，tgδ及電容變化率小，這些優(yōu)點(diǎn)使其作為高壓電容器介質(zhì)是十分有利的。（二）制造工藝要點(diǎn)（1）原料要精選影響高壓陶瓷電容器質(zhì)量的因素，除瓷料組成外，優(yōu)化...

是數(shù)字0，不是字母O，有些文獻(xiàn)筆誤為NPO）以及我國標(biāo)準(zhǔn)的CC系列等型號(hào)的陶瓷介質(zhì)（溫度系數(shù)為0±30PPM/℃），這種介質(zhì)極其穩(wěn)定，溫度系數(shù)極低，而且不會(huì)出現(xiàn)老化現(xiàn)象，損耗因數(shù)不受電壓、頻率、溫度和時(shí)間的影響，介電系數(shù)可以達(dá)到400，介電強(qiáng)度相對(duì)高。這種介質(zhì)非常適用于高頻（特別是工業(yè)高頻感應(yīng)加熱的高頻功率振蕩、高頻無線發(fā)射等應(yīng)用的高頻功率電容器）、超高頻和對(duì)電容量、穩(wěn)定性有嚴(yán)格要求定時(shí)、振蕩電路的工作環(huán)境，這種介質(zhì)電容器wei一的缺點(diǎn)是電容量不能做得很大（由于介電系數(shù)相對(duì)小），通常1206表面貼裝C0G介質(zhì)電容器的電容量從μF。Ⅱ類陶瓷電容器Ⅱ類的穩(wěn)定級(jí)陶瓷介質(zhì)材料如美國電工協(xié)會(huì)（E...

自發(fā)極化在一定溫度范圍內(nèi)、單位晶胞內(nèi)正負(fù)電荷中心不重合，形成偶極矩，呈現(xiàn)象極性。這種在無外電場(chǎng)作用下存在的極化現(xiàn)象稱為自發(fā)極化。當(dāng)施加外界電場(chǎng)時(shí)，自發(fā)極化方向沿電場(chǎng)方向趨于一致；當(dāng)外電場(chǎng)倒向，而且超過材料矯頑電場(chǎng)值時(shí)，自發(fā)極化隨電場(chǎng)而反向；當(dāng)電場(chǎng)移去后，陶瓷中保留的部分極化量，即剩余極化。自發(fā)極化與電場(chǎng)間存在著一定的滯后關(guān)系。它是表征鐵電材料性質(zhì)的必要條件。鐵電陶瓷、壓電陶瓷，如鈦酸鋇晶體BaTiO3等具有自發(fā)極化。利用材料的這種性質(zhì)，可制作電子陶瓷，如電容器及敏感元器件。所謂極化（Poling），就是在壓電陶瓷上加一強(qiáng)直流電場(chǎng)，使陶瓷中的電疇沿電場(chǎng)方向取向排列，又稱人工極化處理，或單...

a）為表面層陶瓷電容器的一般結(jié)構(gòu)，（b）為其等效電路。在半導(dǎo)體陶瓷表面形表面層陶瓷電容器的結(jié)構(gòu)及其等效電路成表面介質(zhì)層的方法很多，這里僅作簡(jiǎn)單介紹。在BaTiO3導(dǎo)體陶瓷的兩個(gè)平行平面上燒滲銀電極，銀電極和半導(dǎo)體陶瓷的接觸介面就會(huì)形成極薄的阻擋層。由于Ag是一種電子逸出功較大的金屬，所以在電場(chǎng)作用下，BaTiO3導(dǎo)體陶瓷與Ag電極的接觸介面上就會(huì)出現(xiàn)缺乏電子的阻擋層，而阻擋層本身存在著空間電荷極化，即介面極化。這樣半導(dǎo)體陶瓷與Ag電極之間的這種阻擋層就構(gòu)成了實(shí)際上的介質(zhì)層。這種電容器瓷件，先在大氣氣氛中燒成，然后在還原氣氛中強(qiáng)制還原半導(dǎo)化，再在氧化氣氛中把表面層重新氧化成絕緣性的介質(zhì)層...

為改進(jìn)工藝條件及改善瓷料的性能，還引進(jìn)了一系列的添加物，如黏土、菱鎂礦、碳酸鋇等?；墒且环N低介結(jié)構(gòu)陶瓷，屬于硅酸鹽中的MgO—Al2O3一SiO2系統(tǒng)?；傻奶攸c(diǎn)是介電常數(shù)很低，介質(zhì)損耗很小，工藝性能好，便于制造形狀復(fù)雜的零件。另外，它的礦源豐富，產(chǎn)品成本低，因此一直是應(yīng)用zui廣的結(jié)構(gòu)陶瓷之一。滑石瓷的介電常數(shù)雖然不高，但它具有高的絕緣強(qiáng)度，而且高頻下的介質(zhì)損耗角正切值很低，其tanδ值可低達(dá)（～4）×10-4，因而可用來制造各種小容量的高壓電容器、高壓大功率瓷介電容器。滑石瓷還具有較高的靜態(tài)抗彎強(qiáng)度、較小的線膨脹系數(shù)和較好的化學(xué)穩(wěn)定性?；蛇€可用于各種類型的絕緣子、線圈骨架...

陶瓷電容器是以陶瓷為介電質(zhì)的電容器。其結(jié)構(gòu)是由二層或更多層交替出現(xiàn)的陶瓷層和金屬層所組成，金屬層連結(jié)到電容器的電極。陶瓷材料的成分決定了陶瓷電容器的電氣特性及其應(yīng)用范圍，依穩(wěn)定性可分為以下三類：Class 1 陶瓷電容器：有高穩(wěn)定性和低損失，適用于諧振電路的應(yīng)用。Class 2 陶瓷電容器：其容積效率高，但穩(wěn)定性及準(zhǔn)確度較差，適用于緩沖、解耦及旁路電路。Class 3 陶瓷電容器：其容積效率更高，但其穩(wěn)定性及準(zhǔn)確度更差。陶瓷電容器是電子設(shè)備中zui常使用的電容，每年的產(chǎn)量約為一兆顆。其中zui常用的是積層陶瓷電容器（MLCC），且有采用表面安裝技術(shù)的元件。 口碑好的陶瓷電容器的機(jī)構(gòu)...

半導(dǎo)體分立器件除助焊劑清洗液、半水基清洗劑、IGBT功率模塊焊后錫膏水基清洗劑、PCB組件封裝焊后水性環(huán)保清洗劑、SMT封裝焊后清洗劑、精密電子清洗劑、半導(dǎo)體分立器件清洗劑、SMT焊接助焊劑清洗劑、錫嘴氧化物清洗劑、PCBA清洗劑、芯片封裝焊后清洗劑、水性清洗劑、FPC清洗劑、BGA植球后清洗劑、球焊膏清洗劑、FPC電路板水基清洗劑、堆疊組裝POP芯片清洗劑、油墨絲印網(wǎng)板水基清洗全工藝解決方案、BMS新能源汽車電池管理系統(tǒng)電路板制程工藝水基清洗解決方案、儲(chǔ)能BMS電路板水基清洗劑、PCBA焊后助焊劑清洗劑、組件和基板除助焊劑中性水基清洗劑、功率電子除助焊劑水基清洗劑、功率模塊/DCB、...

陶瓷電容器的3種典型失效模式與7種失效原因：陶瓷電容器耐壓失效3種典型模式：第1種模式：電極邊緣瓷片貫穿(擊穿點(diǎn)在銀面邊緣位置)﹔A.可能原因:1.粉末及其配制問題2.素地邊緣的致密性不佳B.失效模式在制程中的具體表現(xiàn)﹕1.銀面邊緣位置針kong2.銀面邊緣位置針kong﹐同時(shí)此位置部份陶瓷炸裂。3.裂痕（先針kong后裂痕﹐素子表面有燒蝕碳化之小黑點(diǎn)﹐裂痕為新痕跡。C.應(yīng)對(duì)措施:信息及時(shí)反饋前段制程﹐要求其改善提升素地整體耐壓水準(zhǔn)第2種模式：瓷片延邊導(dǎo)通或瓷片邊緣破裂破損(擊穿點(diǎn)在素子側(cè)面)﹔A.可能原因:1.素地表面有污點(diǎn)﹐如銀﹑助焊劑﹑油質(zhì)﹑焊錫渣等2.涂料中有導(dǎo)電雜質(zhì)3.涂料中...

BaTi03具有鐵電、壓電、正溫度系數(shù)效應(yīng)等優(yōu)異的電學(xué)性能,使其成為電子工業(yè)和陶瓷工業(yè)中的關(guān)鍵材料,目前BaTi03在電子陶瓷工業(yè)應(yīng)用zui廣、zui具發(fā)展?jié)摿Φ念I(lǐng)域就是陶瓷電容器。近年來,BT基介電材料占陶瓷電容器總消耗量的90%以上。隨著電子產(chǎn)品小型化進(jìn)程的快速發(fā)展,電子元器件的小型化和微型化需求凸現(xiàn)出來,結(jié)構(gòu)緊湊的陶瓷電容器受到青昧。為增加小體積元件中的電荷容量,一個(gè)元件中,介質(zhì)材料與電極夾層化和多層化的設(shè)計(jì)得到普及。這種陶瓷介質(zhì)(如(Sr,Ba)Ti03)與金屬電極(如Ag,Pd//Ag,Ni或Cu等)交錯(cuò)疊層形成多層陶瓷電容器(MLCC)。其主要的工業(yè)應(yīng)用在外電場(chǎng)的作用下能形...

工作電壓從5V～500V。從25℃到高溫極限，容量增加不超過5％～10％；對(duì)于－40℃極限的電容，在－40℃時(shí)，低壓電容的容量會(huì)下降20％，高壓電容則下降有40％之多；在－20℃到－40℃溫度區(qū)間時(shí)，容量下降z(mì)ui快；對(duì)于－55℃極限的電容，在－40℃時(shí)，下降通常不超過10％；在－55℃時(shí)，不超過20％。ESR100kHz/25℃下，ESR值一般在幾十mΩ～Ω，LowESR型號(hào)的一般幾十mΩ。ESR值隨著溫度的變化而變化，一般從25℃到高溫極限，ESR會(huì)下降大約35％～50％；而從25℃到低溫極限，ESR會(huì)增大10到100倍。ESL鋁電解電容的寄生串聯(lián)電感值ESL，其值較為穩(wěn)定，并不隨...

當(dāng)鈦酸鋇中鈦元素與鋇元素的物質(zhì)的量的比為:l:l(即分子式為BaTi03)時(shí),其不同的晶型可分別具有壓電性、介電性和熱電性.其立方晶型具有很高的介電常數(shù),在室溫下可達(dá)1500-1600。因此,BaTi03可以作為制備大容量電容器的材料。但由于高相對(duì)介電常數(shù)陶瓷的致命弱點(diǎn),如老化、疲勞、退化和介電性能衰減等,限制了它們的應(yīng)用,而表面包覆改性技術(shù)的應(yīng)用為克服這些問題提供了一個(gè)行之有效的辦法【5】。要實(shí)現(xiàn)高的儲(chǔ)能密度,電介質(zhì)材料必須有很大的介電常數(shù),BaTi03系陶瓷材料具有很高的介電常數(shù),因此用它作為電介質(zhì)制成的電容器具有很高的儲(chǔ)能密度。鈦酸鋇系陶瓷材料鈦酸鋇系電子陶瓷材料作為一種近幾十年...

包括高壓MLCC在內(nèi)的新一代MLCC，采用了便宜的賤金屬材料鎳、銅作電極，大da降低了MLCC的成本。但是賤金屬內(nèi)電極MLCC需要在較低的氧分壓下燒結(jié)以保證電極材料的導(dǎo)電性，而過低的氧分壓會(huì)帶來介質(zhì)瓷料的半導(dǎo)化傾向，不利于元件的絕緣性和可靠性。村田制作所先后開發(fā)出幾種抗還原瓷料，在還原氣氛下燒結(jié)，制成的電容器的可靠性可與原先使用貴金屬電極的電容器相媲美，這類電容器一面世便很快進(jìn)入市場(chǎng)。目前，賤金屬化的Y5V組別電容器的銷量已占該組別MLCC的一半左右，另外正在尋求擴(kuò)大賤金屬電極在其他組別電容器上的應(yīng)用。我國在這方面也有xian著進(jìn)展。清華大學(xué)與元器件廠商合作用化學(xué)方法制備高純鈦酸鋇納米...

并不是只要單純地將鉭電解電容器換成片狀多層陶瓷電容器，工作就結(jié)束了的。根據(jù)用途的不同，有時(shí)還需要注意一些問題。圖1：替換成片狀多層陶瓷電容器可以yi制紋波電壓將DC-DC轉(zhuǎn)換器的輸出電容器由鉭電解電容器換成片狀多層陶瓷電容器時(shí)的輸出電壓波形。DC-DC轉(zhuǎn)換器的開關(guān)頻率為300MHz。鉭電解電容器的容量為100μF。使用3個(gè)22μF的片狀多層陶瓷電容器產(chǎn)品。替換前的紋波電壓為56mV，更換成片狀多層陶瓷電容器后降到了7mV。典型事例是用于上面提到的DC-DC轉(zhuǎn)換器等輸出平滑電路時(shí)。雖然片狀多層陶瓷電容器確實(shí)具備因ESR比較低而能降低輸出紋波電壓的優(yōu)點(diǎn)，但ESR低的特性有時(shí)卻是把“雙刃劍”...

第二位一部分有效數(shù)字為比較大工作中溫度；第三部分成隨溫度轉(zhuǎn)變的容時(shí)容差（以ppm/℃表明）。這三一部分的英文字母與數(shù)據(jù)所表述的實(shí)際意義如表。普遍的Ⅱ類陶瓷電容器有：X7R、X5R、Y9V、Z5U在其中：X7R表明為：***位X為**少工作中溫度-55℃，第二位的數(shù)字7位比較大工作中溫度+125℃，第三位英文字母R為隨溫度轉(zhuǎn)變的阻值誤差±15%；X5R表明為：***位X為**少工作中溫度-55℃，第二位的數(shù)字5位比較大工作中溫度+85℃，第三位英文字母R為隨溫度轉(zhuǎn)變的阻值誤差±15%；Y9V表明為：***位Y為**少工作中溫度-30℃，第二位的數(shù)字5位比較大工作中溫度+85℃，第三位英文...

陶瓷電容器簡(jiǎn)述二十世紀(jì)西班牙L.隆巴迪創(chuàng)造發(fā)明瓷器介質(zhì)電容器。30年代末大家發(fā)覺在瓷器中加上鈦酸鹽可使相對(duì)介電常數(shù)成倍增加,因此生產(chǎn)制造出較劃算的瓷介質(zhì)電容器。1940年前后左右大家發(fā)覺了如今的陶瓷電容器的關(guān)鍵原料BaTiO3(鈦酸鋇)具備介電強(qiáng)度后，剛開始將陶瓷電容器應(yīng)用于對(duì)既中小型、精密度規(guī)定又非常高的國防用電子產(chǎn)品之中。而瓷器卷繞電容器于1960年上下做為產(chǎn)品剛開始開發(fā)設(shè)計(jì)。來到1972年，伴隨著混和IC、電子計(jì)算機(jī)、及其便攜式電子產(chǎn)品的發(fā)展也隨著快速的發(fā)展趨勢(shì)起來，變成電子產(chǎn)品中不能缺乏的零部件。如今的瓷器介質(zhì)電容器的所有總數(shù)約占電容器銷售市場(chǎng)的70%上下。瓷器介質(zhì)電容器的導(dǎo)體...

尤其是便攜式產(chǎn)品）的體積和重量，提高產(chǎn)品可靠性。順應(yīng)了IT產(chǎn)業(yè)小型化、輕量化、高性能、多功能的發(fā)展方向，國家2010年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要中明確提出將表面貼裝元器件等新型元器件作為電子工業(yè)的發(fā)展重點(diǎn)。它不僅封裝簡(jiǎn)單、密封性好，而且能有效地隔離異性電極。MLCC在電子線路中可以起到存儲(chǔ)電荷、阻斷直流、濾波、禍合、區(qū)分不同頻率及使電路調(diào)諧等作用。在高頻開關(guān)電源、計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)電源和移動(dòng)通信設(shè)備中可部分取代有機(jī)薄膜電容器和電解電容器，并大da提高高頻開關(guān)電源的濾波性能和抗干擾性能。1．小型化對(duì)于便攜式攝錄機(jī)、手機(jī)等袖珍型電子產(chǎn)品，需要更加小型化的MLCC產(chǎn)品。另一方面，由于精密印刷電極和疊層工藝的進(jìn)步，...

像下面的電路中，鋁電解電容旁邊都會(huì)并聯(lián)一個(gè)小的瓷片電容。很多人都知道大電解電容起到貯能和濾除低頻信號(hào)的作用，而小瓷片電容起到濾除高頻信號(hào)的作用。然而，這是為什么呢？為什么鋁電解電容不能濾除高頻信號(hào)而小的瓷片電容卻可以濾除高頻信號(hào)？我們都知道電容容抗的公式為：從上面的公式可以看出，當(dāng)C和f很大時(shí)，容抗XC將會(huì)很小，按理說大容量鋁電解電容是可以濾除高頻信號(hào)的，那么為什么說大容量的電解電容不能濾除高頻信號(hào)呢？這是因?yàn)殇X電解電容，有很大的電感成分，其等效模型如下：由于電感有隔交通直的作用，所以當(dāng)頻率越高電容的阻抗反而會(huì)增加。如下圖：所以鋁電解電容不能濾除高頻信號(hào)。當(dāng)輸入為低頻信號(hào)的時(shí)候，由電感...

折疊編輯本段定義高壓陶瓷電容器,顧名思義,是以介電陶瓷為**材料的環(huán)氧樹脂灌封的電容器.隨著時(shí)代有進(jìn)步與科技發(fā)展,高壓陶瓷電容器主要是指交流工作電壓10KV以上的電容器,或者直流工作電壓達(dá)到40KV以上的陶瓷電容器.(以往通常把250V或400V的Y電容也劃分為高壓陶瓷電容器.)折疊編輯本段種類高壓陶瓷電容器根據(jù)他的用途與不同外觀,可分為引線型,螺栓型,片腳型,交流型,直流型,高功率型等.這里我們主要就交流應(yīng)用與直流應(yīng)用兩方面進(jìn)行闡述.一,民用直流高壓陶瓷電容器,主要應(yīng)用在機(jī)械設(shè)備檢測(cè)儀器中.如X-RAY,CT機(jī),直流高壓發(fā)生器,主要做倍壓,分壓,濾,耦合,載波等作用.直流高壓陶瓷電容...

陶瓷電容器的由來 1900年意大利L.隆巴迪發(fā)明陶瓷介質(zhì)電容器。30年代末人們發(fā)現(xiàn)在陶瓷中添加鈦酸鹽可使介電常數(shù)成倍增長,因而制造出較便宜的瓷介質(zhì)電容器。 1940年前后人們發(fā)現(xiàn)了現(xiàn)在的陶瓷電容器的主要原材料BaTiO3(鈦酸鋇)具有絕緣性后，開始將陶瓷電容器使用于對(duì)既小型、精度要求又極高的jun事用電子設(shè)備當(dāng)中。而陶瓷疊片電容器于1960年左右作為商品開始開發(fā)。到了1970年，隨著混合IC、計(jì)算機(jī)、以及便攜電子設(shè)備的進(jìn)步也隨之迅速的發(fā)展起來，成為電子設(shè)備中不可缺少的零部件?，F(xiàn)在的陶瓷介質(zhì)電容器的全部數(shù)量約占電容器市場(chǎng)的70%左右。 陶瓷介質(zhì)電容器的絕緣體材料...

這三部分的字母與數(shù)字所表達(dá)的意義如表。例如，C0G（有時(shí)也稱為NP0）表示為：第yi位字母C為溫度系數(shù)的有效數(shù)字為0，第二位數(shù)字0為有效溫度系數(shù)的倍乘為100=1，第三位字母G為隨溫度變化的容差為±30ppm/℃，即0±30ppm/℃；C0H分別表示為：第yi位字母C為溫度系數(shù)的有效數(shù)字為0，第二位數(shù)字0為有效溫度系數(shù)的倍乘為100=1，第三位字母H為隨溫度變化的容差為±60ppm/℃，即0±60ppm/℃；S2H則分別表示為：第yi位字母S為溫度系數(shù)的有效數(shù)字為，第二位數(shù)字2為有效溫度系數(shù)的倍乘為102=100，第三位字母H為隨溫度變化的容差為±60ppm/℃，即－330±60ppm...

使用建議在大于75℃的高溫場(chǎng)合，應(yīng)盡量少用小尺寸的鋁電解電容。盡量選用容量較大的規(guī)格，發(fā)揮鋁電解電容的優(yōu)勢(shì)。適宜用于工頻的整流平滑濾波、開關(guān)電源輸入濾波和低頻開關(guān)電源的輸出濾波等，不推薦用于高頻開關(guān)電源的輸出濾波。參數(shù)鉭電解電容電容量限于固體燒結(jié)型工藝結(jié)構(gòu)和材料，其CV值（電容與電壓乘積）做不大，容量和電壓有一定范圍，一般從（常見的容量范圍1uF～220uF）；工作電壓從2V~50V（常見耐壓范圍為～50V）；容量的值隨著頻率的增大而減小，由于為固體MnO2電解質(zhì)，其容量溫度特性較穩(wěn)定，甚至溫度低到-190℃時(shí)，容量都只有10％減小量。ESRESR的溫度特性比較穩(wěn)定。廠家給出100KH...

EIA）標(biāo)準(zhǔn)的Z5U、Y5V以及我國標(biāo)準(zhǔn)的CT系列的低檔產(chǎn)品型號(hào)等陶瓷介質(zhì)（溫度系數(shù)為Z5U的+22%，-56%和Y5V的+22%，-82%），這種介質(zhì)的介電系數(shù)隨溫度變化較大，不適用于定時(shí)、振蕩等對(duì)溫度系數(shù)要求高的場(chǎng)合，但由于其介電系數(shù)可以做得很大（可以達(dá)到1000~12000），因而電容量可以做得比更大，適用于一般工作環(huán)境溫度要求（-25~+85℃）的耦合、旁路和濾波。通常1206表面貼裝Z5U、Y5V介質(zhì)電容器量甚至可以達(dá)到100μF，在某種意義上是取代鉭電解電容器的有力競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。陶瓷電容器的溫度特性應(yīng)用陶瓷電容器首先要注意的就是其溫度特性；不同材料的陶瓷介質(zhì)，其溫度特性有極大的...

陶瓷電容分類： 一般販?zhǔn)鄣奶沾呻娙菘煞譃橐韵氯悾? Class 1 陶瓷電容：有溫度補(bǔ)償，電容值準(zhǔn)確的電容器。在不同的電壓、溫度下的穩(wěn)定性比較好，且其損失zui少。但是其容積效率也比較低。典型Class 1電容的溫度系數(shù)為30 ppm/°C，而且對(duì)溫度的線性度很高，Class 1 陶瓷電容的散逸因數(shù)約為0.15%，因此適用在高品質(zhì)因子的濾波器中。一般Class 1電容的電容誤差約為5%至10%，也可以找到高準(zhǔn)確度，誤差只有1%的電容器。比較高準(zhǔn)確度的Class 1電容其標(biāo)示為C0G或NP0。Class 2 陶瓷電容：其容積效率較Class 1電容要好，但其電容準(zhǔn)確度及穩(wěn)定性較差...

硬包裝的圓柱狀玻璃或塑料電容比起通常長方體包裝的電容更容易炸裂，而后者不容易在高壓下裂開。2、被用在射頻電路中和長期在強(qiáng)電流環(huán)境工作的電容會(huì)過熱，特別是電容中心的卷筒。即使外部環(huán)境溫度較低，但這些熱量不能及時(shí)散發(fā)出去，集聚在內(nèi)部可能會(huì)迅速導(dǎo)致內(nèi)部高熱從而導(dǎo)致電容損壞。3、在高能環(huán)境下工作的電容組，如果其中一個(gè)出現(xiàn)故障，使電流突然切斷，其他電容中儲(chǔ)存的能量會(huì)涌向出故障的電容，這就即有可能出現(xiàn)猛烈的爆炸。高壓瓷片電容器優(yōu)點(diǎn)編輯1、容量損耗隨溫度頻率具高穩(wěn)定性。2、特殊的串聯(lián)結(jié)構(gòu)適合于高電壓極長期工作可靠性。3、高電流爬升速率并適用于大電流回路無感型結(jié)構(gòu)。[1]參考資料1.蒲永平;陳壽田凝膠...

陶瓷電容陶瓷電容器是以陶瓷為介電質(zhì)的電容器。其結(jié)構(gòu)是由二層或更多層交替出現(xiàn)的陶瓷層和金屬層所組成，金屬層連結(jié)到電容器的電極。陶瓷材料的成分決定了陶瓷電容器的電氣特性及其應(yīng)用范圍，依穩(wěn)定性可分為以下三類：Class1陶瓷電容器：有高穩(wěn)定性和低損失，適用于諧振電路的應(yīng)用。Class2陶瓷電容器：其容積效率高，但穩(wěn)定性及準(zhǔn)確度較差，適用于緩沖、解耦及旁路電路。Class3陶瓷電容器：其容積效率更高，但其穩(wěn)定性及準(zhǔn)確度更差。陶瓷電容器是電子設(shè)備中zui常使用的電容，每年的產(chǎn)量約為一兆顆[1]。其中zui常用的是積層陶瓷電容器（MLCC），且有采用表面安裝技術(shù)的元件。陶瓷電容上會(huì)印有三位數(shù)的編碼...

其內(nèi)容是「各系列產(chǎn)品的框架圖」新聞報(bào)道增加相匹配175℃/200℃汽車用導(dǎo)線型塊狀雙層陶瓷電容器的產(chǎn)品主力陣容新聞報(bào)道X1級(jí)AC760V工業(yè)級(jí)安全性規(guī)格型號(hào)驗(yàn)證電力電容器商業(yè)化FAQ“陶瓷電容器有什么類型？”已升級(jí)。增加新系列產(chǎn)品到各系列產(chǎn)品的安全性規(guī)格型號(hào)產(chǎn)品認(rèn)證證書。SafetyCertificatesDE1seriesTypeRB(PDF)新聞報(bào)道汽車用導(dǎo)電率黏合劑用品GCG系列產(chǎn)品產(chǎn)品主力陣容擴(kuò)張新聞報(bào)道本企業(yè)超大型容積的智能機(jī)用05035/0402(inch)規(guī)格3接線端子電力電容器商業(yè)化新聞報(bào)道合乎AEC-Q200規(guī)范的汽車信息內(nèi)容游戲娛樂用防潮電力電容器的商業(yè)化增加一個(gè)項(xiàng)...