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參考圖7)，這種殘余物在覆蓋一系列柵極堆棧薄膜之后會(huì)被增強(qiáng)呈現(xiàn)，傳遞到柵極成型工序時(shí)會(huì)對(duì)柵極圖形產(chǎn)生嚴(yán)重的影響，即在柵極曝光圖形成型之后形成埋層缺陷，在柵極刻蝕圖形成型之后造成柵極斷開或橋接，直接降低了產(chǎn)品良率。另外，在氧氣灰化階段，由于等離子氧可以穿...

圖3是一現(xiàn)有技術(shù)光刻膠剝離去除示意圖二，其離子注入步驟。圖4是一現(xiàn)有技術(shù)光刻膠剝離去除示意圖三，其顯示離子注入后光刻膠形成了主要光刻膠層和第二光刻膠層。圖5是一現(xiàn)有技術(shù)光刻膠剝離去除示意圖四，其顯示光刻膠膨脹。圖6是一現(xiàn)有技術(shù)光刻膠剝離去除示意圖五，其...

閥門開關(guān)60設(shè)置在每一子管道301上。在一些實(shí)施例中，閥門開關(guān)60設(shè)置在每一子管道401及每一所述第二子管道502上。在一些實(shí)施例中，閥門開關(guān)60設(shè)置在每一第二子管道502上。具體的，閥門開關(guān)60的設(shè)置位置可以設(shè)置在連接過濾器30的任意管道上，在此不做...

所述卷邊輥與所述膠面收卷輥通過皮帶連接，所述收卷驅(qū)動(dòng)電機(jī)與所述膠面收卷輥通過導(dǎo)線連接。進(jìn)一步的，所述電加熱箱與所述干燥度感應(yīng)器通過導(dǎo)線連接，所述電氣控制箱與所述液晶操作面板通過導(dǎo)線連接。進(jìn)一步的，所述主支撐架由合金鋼壓制而成，厚度為5mm。進(jìn)一步的，所述干燥度...

常在印刷電路板，液晶顯示面板，半導(dǎo)體集成電路等工藝制造過程中，需要通過多次圖形掩膜照射曝光及蝕刻等工序在硅晶圓或玻璃基片上形成多層精密的微電路，形成微電路之后，進(jìn)一步用剝離液將涂覆在微電路保護(hù)區(qū)域上作為掩膜的光刻膠除去。比如光電TFT-LCD生產(chǎn)工...

圖3是一現(xiàn)有技術(shù)光刻膠剝離去除示意圖二，其離子注入步驟。圖4是一現(xiàn)有技術(shù)光刻膠剝離去除示意圖三，其顯示離子注入后光刻膠形成了主要光刻膠層和第二光刻膠層。圖5是一現(xiàn)有技術(shù)光刻膠剝離去除示意圖四，其顯示光刻膠膨脹。圖6是一現(xiàn)有技術(shù)光刻膠剝離去除示意圖五，其...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別是涉及一種用于包括但不限于半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中光刻膠去除步驟的光刻膠剝離去除方法。背景技術(shù)：光刻膠是一大類具有光敏化學(xué)作用(或?qū)﹄娮幽芰棵舾?的高分子聚合物材料，是轉(zhuǎn)移紫外曝光或電子束曝照?qǐng)D案的媒介。光刻膠的也稱為光致抗蝕劑、...

技術(shù)領(lǐng)域：本發(fā)明涉及一種選擇性剝離光刻膠制備微納結(jié)構(gòu)的方法，可用于微納制造，光學(xué)領(lǐng)域，電學(xué)，生物領(lǐng)域，mems領(lǐng)域，nems領(lǐng)域。技術(shù)背景：微納制造技術(shù)是衡量一個(gè)國(guó)家制造水平的重要標(biāo)志，對(duì)提高人們的生活水平，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展與經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)，保障**安全等方...

本發(fā)明提供的光刻膠剝離去除方法第二實(shí)施例，用于半導(dǎo)體制造工藝中，可應(yīng)用于包括但不限于mos、finfet等所有現(xiàn)有技術(shù)中涉及光刻膠剝離去除的生產(chǎn)步驟，主要包括以下步驟:s1，在半導(dǎo)體襯底上淀積一層二氧化硅薄膜作為介質(zhì)層；s2，旋涂光刻膠并曝光顯影，形成...

本發(fā)明涉及剝離液技術(shù)領(lǐng)域：，更具體的說是涉及一種高世代面板銅制程光刻膠剝離液。背景技術(shù)：：電子行業(yè)飛速發(fā)展，光刻膠應(yīng)用也越來越。在半導(dǎo)體元器件制造過程中，經(jīng)過涂敷-顯影-蝕刻過程，在底層金屬材料上蝕刻出所需線條之后，必須在除去殘余光刻膠的同時(shí)不能損傷任...

常在印刷電路板，液晶顯示面板，半導(dǎo)體集成電路等工藝制造過程中，需要通過多次圖形掩膜照射曝光及蝕刻等工序在硅晶圓或玻璃基片上形成多層精密的微電路，形成微電路之后，進(jìn)一步用剝離液將涂覆在微電路保護(hù)區(qū)域上作為掩膜的光刻膠除去。比如光電TFT-LCD生產(chǎn)工...

濕電子化學(xué)品位于電子信息產(chǎn)業(yè)偏中上游的材料領(lǐng)域。濕電子化學(xué)品上游是基 礎(chǔ)化工產(chǎn)品，下游是電子信息產(chǎn)業(yè)（信息通訊、消費(fèi)電子、家用電器、汽車電子、 LED、平板顯示、太陽能電池、**等領(lǐng)域）。濕電子化學(xué)品的生產(chǎn)工藝主要采用物 理的提純技術(shù)及混配技術(shù)，將工業(yè)級(jí)...

需要說明的是，本發(fā)明剝離液中，推薦*由上述成分構(gòu)成，但只要不阻礙本發(fā)明的效果，可以含有例如聚氧化烯烷基醚系、硅系的消泡劑等其它成分。以上說明的本發(fā)明剝離液可以通過將上述成分溶于水中來制備。需要說明的是，本發(fā)明剝離液的ph若為堿性則沒有特別限定，但通常**將上述...

本技術(shù)通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)上述目的：一種印刷品膠面印刷剝離復(fù)合裝置，包括主支撐架、橫向支架、伺服變頻電機(jī)、電機(jī)減速箱、印刷品放置箱、表面印刷結(jié)構(gòu)、膠面剝離結(jié)構(gòu)，所述主支撐架上方設(shè)置有所述橫向支架，所述橫向支架上方設(shè)置有所述伺服變頻電機(jī)，所述伺服變頻電機(jī)上方設(shè)...

濕電子化學(xué)品位于電子信息產(chǎn)業(yè)偏中上游的材料領(lǐng)域。濕電子化學(xué)品上游是基 礎(chǔ)化工產(chǎn)品，下游是電子信息產(chǎn)業(yè)（信息通訊、消費(fèi)電子、家用電器、汽車電子、 LED、平板顯示、太陽能電池、**等領(lǐng)域）。濕電子化學(xué)品的生產(chǎn)工藝主要采用物 理的提純技術(shù)及混配技術(shù)，將工業(yè)級(jí)...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別是涉及一種用于包括但不限于半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中光刻膠去除步驟的光刻膠剝離去除方法。背景技術(shù)：光刻膠是一大類具有光敏化學(xué)作用(或?qū)﹄娮幽芰棵舾?的高分子聚合物材料，是轉(zhuǎn)移紫外曝光或電子束曝照?qǐng)D案的媒介。光刻膠的也稱為光致抗蝕劑、...

避免接觸皮膚、眼睛和衣服；存儲(chǔ)：密閉存放在陰涼干燥的地方8.防燥和人員保護(hù)極限N-Methyl-2-pyrrolidone80mg/m3(19ml/m3)DFGMAK(peaklimitationcategory-II,2)(Vapour)(skin)...

從而可以在閥門開關(guān)60關(guān)閉后取下被阻塞的過濾器30進(jìn)行清理并不會(huì)導(dǎo)致之后的下一級(jí)腔室102的剝離進(jìn)程無法繼續(xù)。其中，腔室10用于按照處于剝離制程的玻璃基板的傳送方向逐級(jí)向玻璃基板分別提供剝離液；與多個(gè)腔室10分別對(duì)應(yīng)連接的多個(gè)存儲(chǔ)箱20，各級(jí)腔室10分...

可選擇的，旋涂光刻膠厚度范圍為1000?！?0000埃。s3，執(zhí)行離子注入：可選擇的，離子注入劑量范圍為1×1013cm-2～1×1016cm-2。s4，采用氮?dú)浠旌蠚怏w執(zhí)行等離子刻蝕，對(duì)光刻膠進(jìn)行干法剝離；如背景技術(shù)中所述，經(jīng)過高劑量或大分子量的源種...

本發(fā)明提供的光刻膠剝離去除方法第二實(shí)施例，用于半導(dǎo)體制造工藝中，可應(yīng)用于包括但不限于mos、finfet等所有現(xiàn)有技術(shù)中涉及光刻膠剝離去除的生產(chǎn)步驟，主要包括以下步驟:s1，在半導(dǎo)體襯底上淀積一層二氧化硅薄膜作為介質(zhì)層；s2，旋涂光刻膠并曝光顯影，形成...

IC去除剝離液MSDS1.產(chǎn)品屬性產(chǎn)品形式：混合溶液產(chǎn)品名稱：ANS-908產(chǎn)品功能描述：用于COG重工，使IC與玻璃無損傷分離2.組成成份化學(xué)名稱CASNo含量%(v)1-METHYL-2-PYRROLIDINONE872-50-445~90N,N-...

按照組成成分和應(yīng)用工藝不同，濕電子化學(xué)品可分為通用性和功能性濕電子化學(xué)品。通用濕電子化學(xué)品以超凈高純?cè)噭橹?，一般為單組份、單功能、被大量使用的液體化學(xué)品，按照性質(zhì)劃分可分為：酸類、堿類、有機(jī)溶劑類和其他類。酸類包括氫氟酸、硝酸、鹽酸、硫酸、磷酸等...

剝離液是一種通用濕電子化學(xué)品，主要用于去除金屬電鍍或者蝕刻加工完成后的光刻膠和殘留物質(zhì)，同時(shí)防止對(duì)襯底層造成破壞。剝離液是集成電路、分立器件、顯示面板、太陽能電池等生產(chǎn)濕法工藝制造的關(guān)鍵性電子化工材料，下游應(yīng)用領(lǐng)域，但整體應(yīng)用需求較低，因此市場(chǎng)規(guī)模偏小。剝離液...

隨著國(guó)內(nèi)電子制造產(chǎn)業(yè)和光電產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，光刻膠剝離液等電子化學(xué)品的使用量也大為増加。特別是縱觀近幾年度的光電行業(yè)，風(fēng)靡全球的智能手持設(shè)備、移動(dòng)終端等簡(jiǎn)直成為了光電行業(yè)的風(fēng)向標(biāo)：與之相關(guān)的光電領(lǐng)域得到了飛速的發(fā)展，鏡頭模組、濾光片、LTPS液晶顯示...

本發(fā)明涉及化學(xué)制劑技術(shù)領(lǐng)域：，特別涉及一種用于疊層晶圓的光刻膠剝離液。背景技術(shù)：：隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)以及立體封裝技術(shù)的不斷發(fā)展，電子器件和電子產(chǎn)品對(duì)多功能化和微型化的要求越來越高。在這種小型化趨勢(shì)的推動(dòng)下，要求芯片的封裝尺寸不斷減小。3d疊層粉妝技術(shù)的封裝體積...

本發(fā)明下述示例性實(shí)施例可以多種不同的形式來實(shí)施，并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為只限于這里所闡述的具體實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)理解的是，提供這些實(shí)施例是為了使得本發(fā)明的公開徹底且完整，并且將這些示例性具體實(shí)施例的技術(shù)方案充分傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。如圖1所示，本發(fā)明提供的光刻膠剝...

從而可以在閥門開關(guān)60關(guān)閉后取下被阻塞的過濾器30進(jìn)行清理并不會(huì)導(dǎo)致之后的下一級(jí)腔室102的剝離進(jìn)程無法繼續(xù)。其中，腔室10用于按照處于剝離制程的玻璃基板的傳送方向逐級(jí)向玻璃基板分別提供剝離液；與多個(gè)腔室10分別對(duì)應(yīng)連接的多個(gè)存儲(chǔ)箱20，各級(jí)腔室10分...

參考圖7)，這種殘余物在覆蓋一系列柵極堆棧薄膜之后會(huì)被增強(qiáng)呈現(xiàn)，傳遞到柵極成型工序時(shí)會(huì)對(duì)柵極圖形產(chǎn)生嚴(yán)重的影響，即在柵極曝光圖形成型之后形成埋層缺陷，在柵極刻蝕圖形成型之后造成柵極斷開或橋接，直接降低了產(chǎn)品良率。另外，在氧氣灰化階段，由于等離子氧可以穿...

本發(fā)明涉及剝離液技術(shù)領(lǐng)域：，更具體的說是涉及一種高世代面板銅制程光刻膠剝離液。背景技術(shù)：：電子行業(yè)飛速發(fā)展，光刻膠應(yīng)用也越來越。在半導(dǎo)體元器件制造過程中，經(jīng)過涂敷-顯影-蝕刻過程，在底層金屬材料上蝕刻出所需線條之后，必須在除去殘余光刻膠的同時(shí)不能損傷任...

在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺(tái)的種結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺(tái)的第二種結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺(tái)的第三種結(jié)構(gòu)示意圖。圖4為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離...