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PNPN四層組成(2)可控硅由關(guān)斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通必須同時具備兩個條件:(1〕受正向陽極電壓;(2)受正向門極電壓。(3)可控硅導(dǎo)通后，當(dāng)陽極電流小干維持電流In時.可控硅關(guān)斷。(4)可控硅的特性主要是:1.陽極伏安特性曲線，2.門極伏安特性區(qū)。(5)應(yīng)在額定參數(shù)范圍...

在應(yīng)用中有時雖然保證了柵極驅(qū)動電壓沒有超過柵極比較大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常采用雙絞線來傳送驅(qū)動信號，以減少寄生電感。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。此外，在柵極—發(fā)射極間開...

動態(tài)電阻二極管特性曲線靜態(tài)工作點(diǎn)附近電壓的變化與相應(yīng)電流的變化量之比。 [4]電壓溫度系數(shù)電壓溫度系數(shù)指溫度每升高一攝氏度時的穩(wěn)定電壓的相對變化量。 [4]比較高工作頻率比較高工作頻率是二極管工作的上限頻率。因二極管與PN結(jié)一樣，其結(jié)電容由勢壘電容組成。所以比...

1979年，MOS柵功率開關(guān)器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間。這種器件表現(xiàn)為一個類晶閘管的結(jié)構(gòu)(P-N-P-N四層組成)，其特點(diǎn)是通過強(qiáng)堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。80年代初期，用于功率MOSFET制造技術(shù)的DMOS(雙擴(kuò)散形成的金屬-氧化物-半導(dǎo)...

雙向可控硅可被認(rèn)為是一對反并聯(lián)連接的普通可控硅的集成，工作原理與普通單向可控硅相同。雙向可控硅有兩個主電極T1和T2， 一個門極G， 門極使器件在主電極的正反兩個方向均可觸發(fā)導(dǎo)通，所以雙向可控硅在第1和第3象限有對稱的伏安特性。雙向可控硅門極加正、負(fù)觸發(fā)脈沖都...

1979年，MOS柵功率開關(guān)器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間。這種器件表現(xiàn)為一個類晶閘管的結(jié)構(gòu)(P-N-P-N四層組成)，其特點(diǎn)是通過強(qiáng)堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。80年代初期，用于功率MOSFET制造技術(shù)的DMOS(雙擴(kuò)散形成的金屬-氧化物-半導(dǎo)...

雙向可控硅可被認(rèn)為是一對反并聯(lián)連接的普通可控硅的集成，工作原理與普通單向可控硅相同。雙向可控硅有兩個主電極T1和T2， 一個門極G， 門極使器件在主電極的正反兩個方向均可觸發(fā)導(dǎo)通，所以雙向可控硅在第1和第3象限有對稱的伏安特性。雙向可控硅門極加正、負(fù)觸發(fā)脈沖都...

常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。 圖1所示為一個N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+ 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。...

常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。 圖1所示為一個N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+ 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。...

反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區(qū)內(nèi)共價鍵結(jié)構(gòu)，使價電子脫離共價鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊...

路器一般由觸頭系統(tǒng)、滅弧系統(tǒng)、操作機(jī)構(gòu)、脫扣器、外殼等構(gòu)成。當(dāng)短路時，大電流（一般10至12倍）產(chǎn)生的磁場克服反力彈簧，脫扣器拉動操作機(jī)構(gòu)動作，開關(guān)瞬時跳閘。當(dāng)過載時，電流變大，發(fā)熱量加劇，雙金屬片變形到一定程度推動機(jī)構(gòu)動作（電流越大，動作時間越短）。有電子型...

ISO-8820和QC/T420-2004等標(biāo)準(zhǔn)中將它定義為：接于電路中，當(dāng)電流超過規(guī)定值和規(guī)定的時間時，使電路斷開的熔斷式保護(hù)器件。熔斷器是一個熱能響應(yīng)器件，熔斷器中的熔片或熔絲是用電阻率較高的易熔合金制成，或用截面積較小的良導(dǎo)體制成。為了保護(hù)線束及其它設(shè)備...

快速熔斷器的特性反時限電流保護(hù)特性。熔斷器具有反時延特性，即過載電流小時，熔斷時間長；過載電流大時，熔斷時間短。所以，在一定過載電流和過載時間范圍內(nèi)，熔斷器是不會熔斷的，可連續(xù)使用。熔斷器有各種不同的熔斷特性曲線，可以適用于不同類型保護(hù)對象的需要。限流特性由于...

若U1與U2的電壓值相同，但與U的電壓值不同，則說明該雙向觸發(fā)二極管的導(dǎo)通性能對稱性良好。若U1與U2的電壓值相差較大時，則說明該雙向觸發(fā)二極管的導(dǎo)通性不對稱。若U1、U2電壓值均與市電U相同時，則說明該雙向觸發(fā)二極管內(nèi)部已短路損壞。若U1、U2的電壓值均為0...

這個實驗告訴我們，要使晶閘管導(dǎo)通，一是在它的陽極A與陰極K之間外加正向電壓，二是在它的控制極G與陰極K之間輸入一個正向觸發(fā)電壓。晶閘管導(dǎo)通后，松開按鈕開關(guān)，去掉觸發(fā)電壓，仍然維持導(dǎo)通狀態(tài)。晶閘管特點(diǎn)“一觸即發(fā)”。但是，如果陽極或控制極外加的是反向電壓，晶閘管就...

IGBT是先進(jìn)的第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,主要應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例電動汽車、伺服控制器、UPS、開關(guān)電源、斬波電源、無軌電車等。問世迄今有十年多歷史，幾乎已替代一切其它功率器件，例SCR、GTO、GTR...

可控硅一個關(guān)鍵用途在于做為無觸點(diǎn)開關(guān)。在自動化設(shè)備中,用無觸點(diǎn)開關(guān)代替通用繼電器已被逐步應(yīng)用。其***特點(diǎn)是無噪音,壽命長?？煽毓?**陽極A1與第二陽極A2間，無論所加電壓極性是正向還是反向，只要控制極G和***陽極A1間加有正負(fù)極性不同的觸發(fā)電壓，就可觸發(fā)...

2、保護(hù)單臺長期工作的電機(jī)熔體電流可按比較大起動電流選取，也可按下式選取：IRN ≥ (1.5～2.5)IN式中IRN--熔體額定電流；IN--電動機(jī)額定電流。如果電動機(jī)頻繁起動，式中系數(shù)可適當(dāng)加大至3～3.5，具體應(yīng)根據(jù)實際情況而定。3、保護(hù)多臺長期工作的電...

1979年，MOS柵功率開關(guān)器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間。這種器件表現(xiàn)為一個類晶閘管的結(jié)構(gòu)(P-N-P-N四層組成)，其特點(diǎn)是通過強(qiáng)堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。80年代初期，用于功率MOSFET制造技術(shù)的DMOS(雙擴(kuò)散形成的金屬-氧化物-半導(dǎo)...

可控硅一個關(guān)鍵用途在于做為無觸點(diǎn)開關(guān)。在自動化設(shè)備中,用無觸點(diǎn)開關(guān)代替通用繼電器已被逐步應(yīng)用。其***特點(diǎn)是無噪音,壽命長?？煽毓?**陽極A1與第二陽極A2間，無論所加電壓極性是正向還是反向，只要控制極G和***陽極A1間加有正負(fù)極性不同的觸發(fā)電壓，就可觸發(fā)...

Rlimit =10～100Ω,C=10～470μF,Creset=10nF.一、柵極電阻Rg的作用1、消除柵極振蕩絕緣柵器件(IGBT、MOSFET)的柵射（或柵源）極之間是容性結(jié)構(gòu)，柵極回路的寄生電感又是不可避免的，如果沒有柵極電阻，那柵極回路在驅(qū)動器驅(qū)動...

電壓測方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。首先，可以把從陰極向上數(shù)的***、二、三層看面是一只NPN型號晶體管，而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。當(dāng)在陽極和陰極之間加上...

當(dāng)正向電壓大于死區(qū)電壓以后，PN結(jié)內(nèi)電場被克服，二極管正向?qū)?，電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內(nèi)，導(dǎo)通時二極管的端電壓幾乎維持不變，這個電壓稱為二極管的正向電壓。 [4]當(dāng)二極管兩端的正向電壓超過一定數(shù)值 ，內(nèi)電場很快被削弱，特性電流迅速增長，...

2023年5月，新加坡—麻省理工學(xué)院研究與技術(shù)聯(lián)盟的科學(xué)家開發(fā)了世界上**小的LED。 發(fā)光二極管簡稱為LED。由含鎵（Ga）、砷（As）、磷（P）、氮（N）等的化合物制成。當(dāng)電子與空穴復(fù)合時能輻射出可見光，因而可以用來制成發(fā)光二極管。在電路及儀器中作為指示燈...

常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路，等等?？煽毓璧闹饕獏?shù)有：1、 額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、 正向阻斷峰值電壓VPF...

2023年5月，新加坡—麻省理工學(xué)院研究與技術(shù)聯(lián)盟的科學(xué)家開發(fā)了世界上**小的LED。 發(fā)光二極管簡稱為LED。由含鎵（Ga）、砷（As）、磷（P）、氮（N）等的化合物制成。當(dāng)電子與空穴復(fù)合時能輻射出可見光，因而可以用來制成發(fā)光二極管。在電路及儀器中作為指示燈...

面接觸型二極管是一種特制的硅二極管，它不僅能通過較大的電流，而且性能穩(wěn)定可靠，多用于開關(guān)、脈沖及低頻電路中。面接觸型二極管是二極管中的一種。二極管種類有很多，按照所用的半導(dǎo)體材料，可分為鍺二極管（Ge管）和硅二極管（Si管）。根據(jù)其不同用途，可分為檢波二極管、...

熔斷器的選擇主要依據(jù)負(fù)載的保護(hù)特性和短路電流的大小選擇熔斷器的類型。對于容量小的電動機(jī)和照明支線，常采用熔斷器作為過載及短路保護(hù)，因而希望熔體的熔化系數(shù)適當(dāng)小些。通常選用鉛錫合金熔體的RQA系列熔斷器。對于較大容量的電動機(jī)和照明干線，則應(yīng)著重考慮短路保護(hù)和分?jǐn)?..

快速熔斷器是一種熔斷器的一種，快速熔斷器主要用于半導(dǎo)體整流元件或整流裝置的短路保護(hù)。由于半導(dǎo)體元件的過載能力很低。只能在極短時間內(nèi)承受較大的過載電流，因此要求短路保護(hù)具有快速熔斷的能力。快速熔斷器的結(jié)構(gòu)和有填料封閉式熔斷器基本相同，但熔體材料和形狀不同，它是以...

當(dāng)發(fā)生短路故障時，短路電流將金屬鈉加熱氣化成高溫高壓的等離子狀態(tài)，使其電阻急劇增加，從而起到限流作用。此時，熔體氣化后產(chǎn)生的高壓推動活塞向右移動，壓縮氬氣。當(dāng)斷路器切開由自復(fù)熔斷器限制了的短路電流后，金屬鈉蒸氣溫度下降，壓力也隨之下降，原來受壓的氬氣又凝結(jié)成液...