使其產(chǎn)生的電磁場均勻分布則成為急需解決的技術(shù)難題。技術(shù)實現(xiàn)要素:本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種陶瓷電容器的均壓裝置,在高壓智能電網(wǎng)中使用時,可使陶瓷電容器電極兩端的電磁場均勻分布,在工作狀態(tài)下,降低對傳輸信號的干擾。為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供的技術(shù)方案是一種一種高壓陶瓷電容器的均壓裝置,包括陶瓷芯片、陶瓷芯片兩端端面的導(dǎo)電層及設(shè)置在導(dǎo)電層上的電極,其特征在于在所述陶瓷芯片兩端的電極上分別設(shè)置有導(dǎo)電的均壓裝置,所述均壓裝置覆蓋所述導(dǎo)電層。所述均壓裝置與所述導(dǎo)電層間留有間隙。所述間隙寬度。所述均壓裝置上圍繞所述電極,至少開設(shè)有一圈數(shù)個間隔均勻分布的排氣孔。所述均壓裝置為導(dǎo)電圓片。所述電極為圓柱狀結(jié)構(gòu),在所述電極的外周開設(shè)有外螺紋;在所述導(dǎo)電圓片螺鎖安裝在所述電極上。本發(fā)明由于位于陶瓷芯片兩端的均壓裝置、即導(dǎo)電圓片完全覆蓋了導(dǎo)電層,因此,陶瓷芯片兩端的與電極導(dǎo)電連接的均壓裝置,即導(dǎo)電圓片,其正對面積為陶瓷芯片兩端的導(dǎo)電層面積。由于陶瓷芯片為圓柱狀結(jié)構(gòu),其兩端的導(dǎo)電層也為正對設(shè)置,如此,通過均壓裝置即可避免兩端電極錯位引起的電磁場分布不均勻現(xiàn)象。蘇州海視達(dá)電子科技有限公司,陶瓷電容器廠家,歡迎您的惠顧!江西陶瓷電容器多少錢
陶瓷電容器的3種典型失效模式與7種失效原因:陶瓷電容器耐壓失效3種典型模式:第1種模式:電極邊緣瓷片貫穿(擊穿點在銀面邊緣位置)﹔A.可能原因:1.粉末及其配制問題2.素地邊緣的致密性不佳B.失效模式在制程中的具體表現(xiàn)﹕1.銀面邊緣位置針kong2.銀面邊緣位置針kong﹐同時此位置部份陶瓷炸裂。3.裂痕(先針kong后裂痕﹐素子表面有燒蝕碳化之小黑點﹐裂痕為新痕跡。C.應(yīng)對措施:信息及時反饋前段制程﹐要求其改善提升素地整體耐壓水準(zhǔn)第2種模式:瓷片延邊導(dǎo)通或瓷片邊緣破裂破損(擊穿點在素子側(cè)面)﹔A.可能原因:1.素地表面有污點﹐如銀﹑助焊劑﹑油質(zhì)﹑焊錫渣等2.涂料中有導(dǎo)電雜質(zhì)3.涂料中有氣泡4.涂料致密性不佳5.涂料包封層固化不充分B.失效模式在制程中的具體表現(xiàn)﹕1.跨弧2.崩邊3.側(cè)邊炸裂C.應(yīng)對措施:1.素子外觀(擴(kuò)散﹑側(cè)邊沾銀)管控﹔2.助焊劑液面控管適中﹐及瓷片浸入深度控管﹔3.及時徹底清理錫槽中的錫渣等雜質(zhì)﹔4.涂料的絕緣品質(zhì)證﹔5.涂料包封及固化工序質(zhì)量保證。第3種模式:電極內(nèi)瓷片貫通(擊穿點在素子(銀面)中心及其周邊位置)。山東陶瓷電容器性價比什么地方需要使用陶瓷電容器。
為改進(jìn)工藝條件及改善瓷料的性能,還引進(jìn)了一系列的添加物,如黏土、菱鎂礦、碳酸鋇等。滑石瓷是一種低介結(jié)構(gòu)陶瓷,屬于硅酸鹽中的MgO—Al2O3一SiO2系統(tǒng)?;傻奶攸c是介電常數(shù)很低,介質(zhì)損耗很小,工藝性能好,便于制造形狀復(fù)雜的零件。另外,它的礦源豐富,產(chǎn)品成本低,因此一直是應(yīng)用zui廣的結(jié)構(gòu)陶瓷之一?;傻慕殡姵?shù)雖然不高,但它具有高的絕緣強(qiáng)度,而且高頻下的介質(zhì)損耗角正切值很低,其tanδ值可低達(dá)(~4)×10-4,因而可用來制造各種小容量的高壓電容器、高壓大功率瓷介電容器?;蛇€具有較高的靜態(tài)抗彎強(qiáng)度、較小的線膨脹系數(shù)和較好的化學(xué)穩(wěn)定性。滑石瓷還可用于各種類型的絕緣子、線圈骨架、高頻瓷軸、波段開關(guān)、電子管座及電阻基體等。它可以用于制造絕大部分的結(jié)構(gòu)零件。[4]陶瓷電容器高介瓷與強(qiáng)介瓷高介瓷的主要品種有金紅石瓷、鈦酸鈣瓷、鈦酸鎂系瓷、鈦酸鋯系瓷和鋯酸鹽瓷;強(qiáng)介瓷主要是以鈦酸鋇為主晶相的鈦酸鋇系瓷。金紅石瓷又稱二氧化鈦瓷,其主晶相為金紅石(TiO2),屬四方(正方)晶系。這種瓷料的相對介電常數(shù)約為80~90,介電常數(shù)的溫度系數(shù)αε為-(750~850)×10-6/℃,介質(zhì)損耗小,適合于制造高頻瓷介電容器。此外。
如圖所示陶瓷電容器的ESR頻率特點***類介質(zhì)的陶瓷電容器特性阻抗頻率特點第二類陶瓷電容器的特性阻抗頻率特點陶瓷電容器的耗損因素與頻率的關(guān)聯(lián)陶瓷電容器的特性阻抗頻率特點陶瓷電容器的接地電阻與溫度的關(guān)聯(lián)耗損因素與溫度的關(guān)聯(lián)電容量與直流電偏置電壓的關(guān)聯(lián)***類介質(zhì)電容器的電容量與直流電偏置電壓不相干。第二類介質(zhì)電容器的電容量隨直流電偏置電壓轉(zhuǎn)變,如圖所示。Y9V介質(zhì)電容器的電容量隨直流電偏置電壓轉(zhuǎn)變十分大,從無參考點時的**電容量降低到額定電流下的直流電偏置電壓時無法得到額定值電容量的25%,換句話說10μF的電容量在額定電流時僅為不上μF!在高溫時因為電容量早已降低到很低,因此這時候的電容量隨直流電偏置電壓的轉(zhuǎn)變并不大。X7R介質(zhì)電容器的電容量隨直流電偏置電壓轉(zhuǎn)變雖較為大,可是比Y9V好很多。陶瓷電容器所容許載入的交流電流與電流量同頻率的關(guān)聯(lián)關(guān)鍵受電容器的ESR危害;相對來說,C0G的ESR較為低,故能夠承擔(dān)較為大的電流量,相對的所容許釋放的交流電流相對性較為大;X7R、X5R、Y9V、Z5U則ESR相對性較為大,可承擔(dān)比C0G要小,此外,因為電容量遠(yuǎn)高于C0G,故所釋放的工作電壓將遠(yuǎn)低于C0G。安規(guī)電容器|海視達(dá)電子X電容與Y貼片安規(guī)電容器-蘇州海視達(dá)。
瓷器電容的容積較小。高壓陶瓷電容測試標(biāo)準(zhǔn)編寫高壓陶瓷電容器的可靠性檢測,也叫高低溫試驗,老化測試,包含許多層面的檢測內(nèi)容:1、串聯(lián)電阻檢測,接地電阻檢測;2、抗拉力檢測,即導(dǎo)線與集成ic電焊焊接的堅固度;3、正負(fù)極溫彈性系數(shù)檢測,即-40度到+60度情況下,電容的彈性系數(shù);4、高低溫試驗,高壓陶瓷電容在仿真模擬辦公環(huán)境情況下運行30~六十天,檢測其衰減系數(shù)其各類主要參數(shù)的轉(zhuǎn)變;5、抗壓試驗,包含額定值工作中電壓二十四小時工作中檢測;也包含穿透抗壓,即毀滅性檢測,電容被穿透前的那一個臨界值電壓便是穿透電壓。6、局放檢測,即局放檢測;7、老化測試,即在高低溫試驗的基本上,再對電容開展高頻率沖電流量下迅速蓄電池充電檢測,獲得的蓄電池充電頻次便是蓄電池充電使用壽命,留意,這一使用壽命的得到是在長期的脆化以后得到的。[2]高壓陶瓷電容應(yīng)用常見問題編寫1、工作中電壓在交流電路或諧波失真電流量電源電路中應(yīng)用直流電額定值電壓電容器時,請盡量將另加電壓的Vp-p值或包括直流電參考點電壓的Vo-p值保持在額定值電壓范疇內(nèi)。若向電源電路釋放電壓。蘇州哪家機(jī)構(gòu)的陶瓷電容器的口碑比較好?天津陶瓷電容器品質(zhì)保障
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多層片狀陶介電容器具體不良可分為:1、熱擊失效2、扭曲破裂失效3、原材失效三個大類(1)熱擊失效模式:熱擊失效的原理是:在制造多層陶瓷電容時,使用各種兼容材料會導(dǎo)致內(nèi)部出現(xiàn)張力的不同熱膨脹系數(shù)及導(dǎo)熱率。當(dāng)溫度轉(zhuǎn)變率過大時就容易出現(xiàn)因熱擊而破裂的現(xiàn)象,這種破裂往往從結(jié)構(gòu)zui弱及機(jī)械結(jié)構(gòu)zui集中時發(fā)生,一般是在接近外露端接和中央陶瓷端接的界面處、產(chǎn)生zui大機(jī)械張力的地方(一般在晶體zui堅硬的四角),而熱擊則可能造成多種現(xiàn)象:第yi種是顯而易見的形如指甲狀或U-形的裂縫第二種是隱藏在內(nèi)的微小裂縫第二種裂縫也會由裸露在外的中央部份,或陶瓷/端接界面的下部開始,并隨溫度的轉(zhuǎn)變,或于組裝進(jìn)行時,順著扭曲而蔓延開來(見圖4)。第yi種形如指甲狀或U-形的裂縫和第二種隱藏在內(nèi)的微小裂縫,兩者的區(qū)別只是后者所受的張力較小,而引致的裂縫也較輕微。第yi種引起的破裂明顯,一般可以在金相中測出,第二種只有在發(fā)展到一定程度后金相才可測。(2)扭曲破裂失效此種不良的可能性很多:按大類及表現(xiàn)可以分為兩種:第yi種情況、SMT階段導(dǎo)致的破裂失效當(dāng)進(jìn)行零件的取放尤其是SMT階段零件取放時,取放的定中爪因為磨損、對位不準(zhǔn)確,傾斜等造成的。江西陶瓷電容器多少錢
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