自發(fā)極化在一定溫度范圍內(nèi)、單位晶胞內(nèi)正負(fù)電荷中心不重合，形成偶極矩，呈現(xiàn)象極性。這種在無(wú)外電場(chǎng)作用下存在的極化現(xiàn)象稱為自發(fā)極化。當(dāng)施加外界電場(chǎng)時(shí)，自發(fā)極化方向沿電場(chǎng)方向趨于一致；當(dāng)外電場(chǎng)倒向，而且超過(guò)材料矯頑電場(chǎng)值時(shí)，自發(fā)極化隨電場(chǎng)而反向；當(dāng)電場(chǎng)移去后，陶瓷中保留的部分極化量，即剩余極化。自發(fā)極化與電場(chǎng)間存在著一定的滯后關(guān)系。它是表征鐵電材料性質(zhì)的必要條件。鐵電陶瓷、壓電陶瓷，如鈦酸鋇晶體BaTiO3等具有自發(fā)極化。利用材料的這種性質(zhì)，可制作電子陶瓷，如電容器及敏感元器件。所謂極化（Poling），就是在壓電陶瓷上加一強(qiáng)直流電場(chǎng)，使陶瓷中的電疇沿電場(chǎng)方向取向排列，又稱人工極化處理，或單疇化處理。為了使壓電陶瓷處于能量（靜電能與彈性能）比較低狀態(tài)，晶粒中就會(huì)出現(xiàn)若干小區(qū)域，每個(gè)小區(qū)域內(nèi)晶胞自發(fā)極化有相同的方向，但鄰近區(qū)域之間的自發(fā)極化方向則不同。自發(fā)極化方向一致的區(qū)域稱為電疇，整塊陶瓷包括許多電疇如圖所示。極化前，各晶粒內(nèi)存在許多自發(fā)極化方向不同的電疇，陶瓷內(nèi)的極化強(qiáng)度為零，如圖（a）所示。極化處理時(shí)，晶?？梢孕纬蓡萎牐园l(fā)極化盡量沿外場(chǎng)4方向排列，如圖(b)所示。極化處理后，外電場(chǎng)為零。哪家陶瓷電容器的是口碑推薦？常州陶瓷電容器高壓取電用

    C0H分別表示為：第yi位字母C為溫度系數(shù)的有效數(shù)字為0，第二位數(shù)字0為有效溫度系數(shù)的倍乘為100=1，第三位字母H為隨溫度變化的容差為±60ppm/℃，即0±60ppm/℃；S2H則分別表示為：第yi位字母S為溫度系數(shù)的有效數(shù)字為，第二位數(shù)字2為有效溫度系數(shù)的倍乘為102=100，第三位字母H為隨溫度變化的容差為±60ppm/℃，即－330±60ppm/℃第yi類陶瓷電容器的電容量幾乎不隨溫度變化，下面以C0G介質(zhì)為例。C0G介質(zhì)的變化量?jī)H0±30ppm/℃，實(shí)際上C0G的電容量隨溫度變化小于0±30ppm/℃，大約為0±30ppm/℃的一半第二類陶瓷介質(zhì)電容器的溫度性質(zhì)根據(jù)美國(guó)標(biāo)準(zhǔn)EIA-198-D，在用字母或數(shù)字表示陶瓷電容器的溫度性質(zhì)有三部分：第yi部分為（例如字母X）比較低工作溫度；第二位部分有效數(shù)字為比較高工作溫度；第三部分為隨溫度變化的容差（以ppm/℃表示）。這三部分的字母與數(shù)字所表達(dá)的意義如表。常見(jiàn)的Ⅱ類陶瓷電容器有：X7R、X5R、Y5V、Z5U其中：X7R表示為：第yi位X為比較低工作溫度-55℃，第二位的數(shù)字7位比較高工作溫度+125℃，第三位字母R為隨溫度變化的容值偏差±15%；X5R表示為：第yi位X為比較低工作溫度-55℃，第二位的數(shù)字5位比較高工作溫度+85℃。紹興高壓瓷片電容器陶瓷電容器使用陶瓷電容器的需要什么條件。

    對(duì)于疊片陶瓷電容器來(lái)說(shuō)，由于熱膨脹系數(shù)不同或電路板彎曲所造成的機(jī)械應(yīng)力將是疊片陶瓷電容器斷裂的主要因素。6.疊片陶瓷電容器的斷裂分析疊片陶瓷電容器機(jī)械斷裂后，斷裂處的電極絕緣間距將低于擊穿電壓，會(huì)導(dǎo)致兩個(gè)或多個(gè)電極之間的電弧放電而徹底損壞疊片陶瓷電容器。疊片陶瓷電容器機(jī)械斷裂的防止方法主要有：盡可能地減少電路板的彎曲，減小陶瓷貼片電容在電路板上的應(yīng)力，減小疊片陶瓷電容器與電路板的熱膨脹系數(shù)的差異而引起的機(jī)械應(yīng)力。如何減小疊片陶瓷電容器在電路板上的應(yīng)力將在下面另有敘述，這里不再贅述。減小疊片陶瓷電容器與電路板的熱膨脹系數(shù)的差異而引起的機(jī)械應(yīng)力，可以通過(guò)選擇封裝尺寸小的電容器來(lái)減緩，如鋁基電路板應(yīng)盡可能用1810以下的封裝，如果電容量不夠可以采用多只并聯(lián)的方法或采用疊片的方法解決，也可以采用帶有引腳的封裝形式的陶瓷電容器解決。7.疊片陶瓷電容器電極端頭被熔淋在波峰焊焊接疊片陶瓷電容器時(shí)可能會(huì)出現(xiàn)電極端頭被焊錫熔掉了。其原因主要是波峰焊疊片陶瓷電容器接觸高溫焊錫的時(shí)間過(guò)長(zhǎng)?，F(xiàn)在在市場(chǎng)上的疊片陶瓷電容器分為適用于回流焊工藝的和適用于波峰焊工藝的，如果將適用于回流焊工藝的疊片陶瓷電容器用于波峰焊。

陶瓷電容器的由來(lái)

  1900年意大利L.隆巴迪發(fā)明陶瓷介質(zhì)電容器。30年代末人們發(fā)現(xiàn)在陶瓷中添加鈦酸鹽可使介電常數(shù)成倍增長(zhǎng),因而制造出較便宜的瓷介質(zhì)電容器。

  1940年前后人們發(fā)現(xiàn)了現(xiàn)在的陶瓷電容器的主要原材料BaTiO3(鈦酸鋇)具有絕緣性后，開(kāi)始將陶瓷電容器使用于對(duì)既小型、精度要求又極高的jun事用電子設(shè)備當(dāng)中。而陶瓷疊片電容器于1960年左右作為商品開(kāi)始開(kāi)發(fā)。到了1970年，隨著混合IC、計(jì)算機(jī)、以及便攜電子設(shè)備的進(jìn)步也隨之迅速的發(fā)展起來(lái)，成為電子設(shè)備中不可缺少的零部件?，F(xiàn)在的陶瓷介質(zhì)電容器的全部數(shù)量約占電容器市場(chǎng)的70%左右。

  陶瓷介質(zhì)電容器的絕緣體材料主要使用陶瓷，其基本構(gòu)造是將陶瓷和內(nèi)部電極交相重疊。陶瓷材料有幾個(gè)種類。自從考慮電子產(chǎn)品無(wú)害化特別是無(wú)鉛化后，高介電系數(shù)的PB（鉛）退出陶瓷電容器領(lǐng)域，現(xiàn)在主要使用TiO2(二氧化鈦)、 BaTiO3, CaZrO3(鋯酸鈣)等。和其它的電容器相比具有體積小、容量大、耐熱性好、適合批量生產(chǎn)、價(jià)格低等優(yōu)點(diǎn)。 質(zhì)量比較好的陶瓷電容器的機(jī)構(gòu)。

    [3]陶瓷電容器陶瓷電容器介質(zhì)編輯陶瓷材料具有優(yōu)越的電學(xué)、力學(xué)、熱學(xué)等性質(zhì)，可用作電容器介質(zhì)、電路基板及封裝材料等。陶瓷電容器陶瓷材料的微觀結(jié)構(gòu)陶瓷材料是由氧化物或其他化合物制成坯體后，在接近熔融的溫度下，經(jīng)高溫焙燒制得的材料。通常包括原料粉碎、漿料制備、坯件成型和高溫?zé)Y(jié)等重要過(guò)程。陶瓷是一個(gè)復(fù)雜的多晶多相系統(tǒng)，一般由結(jié)晶相、玻璃相、氣相及相界交織而成，這些相的特征、組成、相對(duì)含量及其分布情況，決定著整個(gè)陶瓷的基本性質(zhì)。陶瓷中的晶相通常指那些大小不同、形狀不一、取向隨機(jī)的晶粒，晶粒的直徑通常為幾微米至幾十微米。晶相可以同屬一種化合物或一種晶系，也可以是不同化合物或不同晶系。陶聲中若存在兩種以上組成和結(jié)構(gòu)互不相同的晶粒時(shí)，則稱其為多晶相陶瓷，其中相對(duì)含量zui多產(chǎn)品相稱為主晶相，其他的稱為副品相。其中主晶相的性能基本上決定了材料的性能，如相對(duì)f電常數(shù)、電導(dǎo)率、損耗及熱膨脹系數(shù)等。所以，要獲得性能良好的陶瓷，就必須選擇適當(dāng)?shù)模壕?。此外，還應(yīng)考慮晶粒的大小、均勻程度、晶粒取向、晶界形成及雜質(zhì)分布等情況。晶粒間界是指兩個(gè)晶粒之間的過(guò)渡區(qū)，在這個(gè)過(guò)渡區(qū)內(nèi)。安規(guī)電容器|海視達(dá)電子X(jué)電容與Y貼片安規(guī)電容器-蘇州海視達(dá)。常州陶瓷電容器高壓取電用

現(xiàn)貨供應(yīng)Y5P陶瓷電容器。常州陶瓷電容器高壓取電用

    電磁場(chǎng)通過(guò)兩端的正對(duì)的導(dǎo)電圓片邊緣處均勻分布，實(shí)現(xiàn)陶瓷電容器電磁場(chǎng)均勻分布，從而避免因陶瓷電容器電磁場(chǎng)分布不均對(duì)高壓智能電網(wǎng)造成的信號(hào)干擾。附圖說(shuō)明圖1，本發(fā)明未封裝結(jié)構(gòu)爆炸示意圖。圖2，本發(fā)明未封裝結(jié)構(gòu)示意圖。圖3，本發(fā)明封裝后剖視結(jié)構(gòu)示意圖。圖4，本發(fā)明導(dǎo)電圓片俯視結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方式針對(duì)上述技術(shù)方案，現(xiàn)舉較佳實(shí)施例并結(jié)合圖示對(duì)其進(jìn)行具體說(shuō)明，參看圖1至圖4。陶瓷電容器，包括陶瓷芯片、導(dǎo)電層、電極及絕緣樹(shù)脂層。陶瓷芯片1，其外形為圓柱狀結(jié)構(gòu)，采用陶瓷材料成型燒結(jié)而成。在陶瓷電容器芯片的兩端端面上均勻涂覆有一定厚度的導(dǎo)電層，導(dǎo)電層的材質(zhì)一般為銀，一般通過(guò)將銀漿涂覆在陶瓷芯片的兩端端面上再進(jìn)行燒結(jié)即可形成導(dǎo)電層。電極3，通過(guò)焊接固定設(shè)置在導(dǎo)電層中心部位上。在本實(shí)施例中，電極2為柱狀結(jié)構(gòu)，電極與導(dǎo)電層焊接一端突出柱狀結(jié)構(gòu)外側(cè)形成橫截面較大的連接基座3。電極的連接基座焊接在導(dǎo)電層上，通過(guò)面積較大的連接基座，可使電極與導(dǎo)電層的焊接接觸面積增大，使其固定更牢固。在電極的柱狀結(jié)構(gòu)外周開(kāi)設(shè)有螺紋結(jié)構(gòu)。在電極2上圓柱結(jié)構(gòu)沿其長(zhǎng)度方向，開(kāi)設(shè)有連接孔，在該連接孔內(nèi)開(kāi)設(shè)有內(nèi)螺紋。均壓裝置4。常州陶瓷電容器高壓取電用

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