b、接近式曝光(Proximity Printing)。掩膜板與光刻膠層的略微分開(kāi),大約為10~50μm??梢员苊馀c光刻膠直接接觸而引起的掩膜板損傷。但是同時(shí)引入了衍射效應(yīng),降低了分辨率。1970后適用,但是其最大分辨率*為2~4μm。c、投影式曝光(Proj...
得指出的是,EUV光刻技術(shù)的研發(fā)始于20世紀(jì)80年代。**早希望在半周期為70nm的節(jié)點(diǎn)(對(duì)應(yīng)邏輯器件130nm節(jié)點(diǎn))就能用上EUV光刻機(jī) [1]??墒?,這一技術(shù)一直達(dá)不到晶圓廠量產(chǎn)光刻所需要的技術(shù)指標(biāo)和產(chǎn)能要求。一拖再拖,直到2016年,EUV光刻機(jī)仍然沒(méi)能...
自動(dòng)精密沖床是一種用于金屬?zèng)_壓成型的工業(yè)設(shè)備,主要應(yīng)用于汽車(chē)、電子、五金制造等領(lǐng)域,可適配自動(dòng)化送料系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)高效生產(chǎn)。其機(jī)身采用鋼板焊接結(jié)構(gòu)并經(jīng)過(guò)熱處理,具有高剛性和穩(wěn)定性。設(shè)備**部件包含曲軸、齒輪軸等硬化研磨組件,結(jié)合重心平衡設(shè)計(jì)保障沖壓精度。配置雙聯(lián)電磁...
邊緣光刻膠的去除光刻膠涂覆后,在硅片邊緣的正反兩面都會(huì)有光刻膠的堆積。邊緣的光刻膠一般涂布不均勻,不能得到很好的圖形,而且容易發(fā)生剝離(Peeling)而影響其它部分的圖形。所以需要去除。方法:a、化學(xué)的方法(Chemical EBR)。軟烘后,用PGMEA或...
光刻機(jī)系統(tǒng)是材料科學(xué)領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備,通過(guò)光學(xué)成像原理將掩模版上的微細(xì)圖形精確轉(zhuǎn)移到光刻膠表面。系統(tǒng)配置1Kw近紫外光源與6V/30W顯微鏡燈適配器,配備氣動(dòng)防震臺(tái)保障精密操作環(huán)境,其技術(shù)參數(shù)截至2020年11月24日仍在使用 [1]。通過(guò)光化學(xué)反應(yīng)將掩模版上的...
38、卸料螺釘卸料螺釘是固定在彈壓卸料板上的螺釘,用于限制彈壓卸料板的靜止位置。39、單工序模單工序模是在壓力機(jī)一次行程中只完成一道工序的沖模。40、廢料切刀廢料切刀有兩種。1.裝于拉深件凸緣切邊模上用于割斷整圈切邊廢料以利***的切刀。2.裝于壓力機(jī)或模具上...
光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個(gè)主要工藝。是對(duì)半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進(jìn)行開(kāi)孔,以便進(jìn)行雜質(zhì)的定域擴(kuò)散的一種加工技術(shù)。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對(duì)準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕、檢測(cè)等工序。硅片清洗烘干方...
●高剛性高剛性、高精密的構(gòu)架,采用鋼板焊接,并經(jīng)熱處理、消除床身內(nèi)應(yīng)力?!裰匦钠胶?.傳動(dòng)中心與機(jī)器整體的中心趨于一致,確保沖壓的精確、穩(wěn)定?!癫僮鞣€(wěn)定、安全離合器/剎車(chē)器裝置高度靈敏,再加國(guó)際前列的雙聯(lián)電磁閥和過(guò)負(fù)荷保護(hù)裝置,確保沖床滑塊運(yùn)轉(zhuǎn)及停止的精確性與...
英特爾高級(jí)研究員兼技術(shù)和制造部先進(jìn)光刻技術(shù)總監(jiān)YanBorodovsky在去年說(shuō)過(guò)“針對(duì)未來(lái)的IC設(shè)計(jì),我認(rèn)為正確的方向是具有互補(bǔ)性的光刻技術(shù)。193納米光刻是當(dāng)前能力**強(qiáng)且**成熟的技術(shù),能夠滿足精確度和成本要求,但缺點(diǎn)是分辨率低。利用一種新技術(shù)作為193...
由英國(guó)、希臘和美國(guó)**組成的安提基特拉機(jī)械研究計(jì)劃成員于2008年7月時(shí),在機(jī)械上的一個(gè)青銅轉(zhuǎn)盤(pán)發(fā)現(xiàn)了一個(gè)字 "Olympia",相信是用來(lái)指示卡利巴斯周期(Callippic cycle);另外也發(fā)現(xiàn)了其他古希臘競(jìng)賽的名字,因此這可能是用來(lái)追蹤古代奧林匹克運(yùn)...
為把193i技術(shù)進(jìn)一步推進(jìn)到32和22nm的技術(shù)節(jié)點(diǎn)上,光刻**一直在尋找新的技術(shù),在沒(méi)有更好的新光刻技術(shù)出現(xiàn)前,兩次曝光技術(shù)(或者叫兩次成型技術(shù),DPT)成為人們關(guān) 注 的 熱 點(diǎn)。ArF浸沒(méi)式兩次曝光技術(shù)已被業(yè)界認(rèn)為是32nm節(jié)點(diǎn)相當(dāng)有競(jìng)爭(zhēng)力的技術(shù);在更低...
定焦鏡頭的好處,主要體現(xiàn)在短焦段的使用上:⒈定焦的廣角或標(biāo)準(zhǔn)鏡頭一般都比涵蓋相應(yīng)焦距段的變焦鏡頭口徑大。一般的定焦廣角和中焦鏡頭的光圈都在2.8以上,通光量大,便于在低照度情況下拍攝。定焦鏡頭⒉定焦的廣角鏡頭一般都比涵蓋相應(yīng)焦距段的變焦鏡頭**短對(duì)焦距離近。比...
b、堅(jiān)膜,以提高光刻膠在離子注入或刻蝕中保護(hù)下表面的能力;c、進(jìn)一步增強(qiáng)光刻膠與硅片表面之間的黏附性;d、進(jìn)一步減少駐波效應(yīng)(Standing Wave Effect)。常見(jiàn)問(wèn)題:a、烘烤不足(Underbake)。減弱光刻膠的強(qiáng)度(抗刻蝕能力和離子注入中的阻...
涂底方法:a、氣相成底膜的熱板涂底。HMDS蒸氣淀積,200~250C,30秒鐘;優(yōu)點(diǎn):涂底均勻、避免顆粒污染;b、旋轉(zhuǎn)涂底。缺點(diǎn):顆粒污染、涂底不均勻、HMDS用量大。目的:使表面具有疏水性,增強(qiáng)基底表面與光刻膠的黏附性旋轉(zhuǎn)涂膠方法:a、靜態(tài)涂膠(Stati...
后烘方法:熱板,110~130C,1分鐘。目的:a、減少駐波效應(yīng);b、激發(fā)化學(xué)增強(qiáng)光刻膠的PAG產(chǎn)生的酸與光刻膠上的保護(hù)基團(tuán)發(fā)生反應(yīng)并移除基團(tuán)使之能溶解于顯影液。顯影方法:a、整盒硅片浸沒(méi)式顯影(Batch Development)。缺點(diǎn):顯影液消耗很大;顯影...
廣角鏡頭又分為普通廣角鏡頭和超廣角鏡頭兩種。135照相機(jī)普通廣角鏡頭的焦距一般為38-24毫米,視角為60-84度;超廣角鏡頭的焦距為20-13毫米,視角為94-118度。由于廣角鏡頭的焦距短,視角大,在較短的拍攝距離范圍內(nèi),能拍攝到較大面積的景物。所以,**...
入門(mén)的定焦鏡頭當(dāng)然以50為優(yōu)先。古典的三鏡組合是這樣子的:35、50、135,有了這三個(gè)鏡頭,足可應(yīng)付大多數(shù)的場(chǎng)合需要。日后若有需要,再作擴(kuò)充。定焦鏡頭另外提供幾個(gè)不同的組合給大家參考。愛(ài)拍風(fēng)景的人可以考慮的三鏡組合為24、35(用35代替50)、135。愛(ài)拍...
使用長(zhǎng)焦距鏡頭拍攝具有以下幾個(gè)方面的特點(diǎn): [3]視角小所以,拍攝的景物空間范圍也小,在相同的拍攝距離處,所拍攝的影像大于標(biāo)準(zhǔn)鏡頭,適用于拍攝遠(yuǎn)處景物的細(xì)部和拍攝不易接近的被攝體 [3]。景深短所以,能使處于雜亂環(huán)境中的被攝主體得到突出。但給精確調(diào) 焦帶來(lái)了一...
我們建議攝影入門(mén)用戶在攝影學(xué)習(xí)階段,除了相機(jī)上已經(jīng)配備的套裝鏡頭之外,不必再購(gòu)買(mǎi)任何鏡頭。以后成為“高手”時(shí),再考慮較長(zhǎng)焦距的鏡頭。即使到那時(shí),除非對(duì)遠(yuǎn)攝鏡頭具有特殊的需求,并且資金也不成問(wèn)題,否則我們建議不要考慮超過(guò)200mm的任何鏡頭。如果偶爾需要遠(yuǎn)攝鏡頭...
定焦鏡頭(prime lens)是指只有一個(gè)固定焦距的鏡頭,沒(méi)有焦段一說(shuō),或者說(shuō)只有一個(gè)視野。定焦鏡頭沒(méi)有變焦功能。 [1]定焦鏡頭的設(shè)計(jì)相對(duì)變焦鏡頭而言要簡(jiǎn)單得多,但一般變焦鏡頭在變焦過(guò)程中對(duì)成像會(huì)有所影響,而定焦鏡頭相對(duì)于變焦機(jī)器的比較大好處就是對(duì)焦速度快...
世界上***部糾偏裝置,英文:Deviation rectifying device,是美塞斯的FIFE糾發(fā)明的,是糾偏裝置是電子糾偏系統(tǒng)的心臟。糾偏裝置是一種修正卷材在向前運(yùn)動(dòng)中出現(xiàn)的側(cè)邊誤差的機(jī)械裝置,位移式糾偏是通過(guò)更改卷材在進(jìn)口和出口跨度來(lái)實(shí)現(xiàn)卷材側(cè)邊...
機(jī)械手關(guān)節(jié)減速機(jī)是一種通過(guò)電機(jī)驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化角度調(diào)整的精密傳動(dòng)裝置,具有重復(fù)定位精度≤5秒的特點(diǎn),適配AC伺服或步進(jìn)馬達(dá)。其穩(wěn)重承載能力和高精度特性使其廣泛應(yīng)用于精密加工機(jī)床、航太工業(yè)、半導(dǎo)體設(shè)備、印刷機(jī)械,食品包裝、自動(dòng)化產(chǎn)業(yè)、工業(yè)機(jī)器人、醫(yī)療檢驗(yàn)、精密測(cè)試...
舉例來(lái)說(shuō),對(duì)某一確定的被攝體,水平方向需要200個(gè)像素才能再現(xiàn)其細(xì)節(jié),如果成像寬度為10mm,則光學(xué)分辨率為20線/mm的鏡頭就能勝任,如果成像寬度為1mm,則要求鏡頭的光學(xué)分辨率必須在200線/毫米以上。另一方面,傳統(tǒng)膠卷對(duì)紫外線比較敏感,外拍時(shí)常需要加裝U...
得指出的是,EUV光刻技術(shù)的研發(fā)始于20世紀(jì)80年代。**早希望在半周期為70nm的節(jié)點(diǎn)(對(duì)應(yīng)邏輯器件130nm節(jié)點(diǎn))就能用上EUV光刻機(jī) [1]。可是,這一技術(shù)一直達(dá)不到晶圓廠量產(chǎn)光刻所需要的技術(shù)指標(biāo)和產(chǎn)能要求。一拖再拖,直到2016年,EUV光刻機(jī)仍然沒(méi)能...
已找到一個(gè)制造于5或6世紀(jì)拜占庭帝國(guó),和一個(gè)日晷相連接的日期齒輪的殘??;該儀器可能是做為報(bào)時(shí)輔助。在**世界中,西元9世紀(jì)早期阿拉伯帝國(guó)的哈里發(fā)委托巴努·穆薩寫(xiě)下的《巧妙設(shè)備之書(shū)》(Book of Ingenious Devices,暫譯)。該書(shū)描述了超過(guò)一百...
c、水坑(旋覆浸沒(méi))式顯影(Puddle Development)。噴覆足夠(不能太多,**小化背面濕度)的顯影液到硅片表面,并形成水坑形狀(顯影液的流動(dòng)保持較低,以減少邊緣顯影速率的變化)。硅片固定或慢慢旋轉(zhuǎn)。一般采用多次旋覆顯影液:***次涂覆、保持10~...
至少有一個(gè)阿基米德制造的儀器相當(dāng)類(lèi)似安提基特拉機(jī)械,而且直到大約西元前150年仍在使用。西塞羅提到的任何一個(gè)儀器或許并不是在沉船中找到的安提基特拉機(jī)械,因?yàn)榘⒒椎碌脑O(shè)計(jì)和西塞羅所提的都是在預(yù)測(cè)的船沉日期之后至少30年的羅馬,而且第三個(gè)儀器幾乎確定在當(dāng)時(shí)是在波...
德瑞克·約翰·德索拉·普萊斯提出該裝置可能是公開(kāi)展示,地點(diǎn)或許是羅德島上的博物館或公共會(huì)堂。羅德島在當(dāng)時(shí)是以機(jī)械工程聞名,尤其是羅德島人擅長(zhǎng)的自動(dòng)機(jī)械。古希臘九大抒情詩(shī)人中的品達(dá)在他的第七首奧林匹克頌中提及:The animated figures stand...
特點(diǎn)長(zhǎng)焦鏡頭以適用于35毫米單鏡頭反光照相機(jī)的交換鏡頭為例,遠(yuǎn)攝鏡頭通常是指焦距約在80至400毫米之間的攝影鏡頭。遠(yuǎn)攝鏡頭**基本的特點(diǎn)是,鏡頭視角小,所以視野范圍相對(duì)狹窄;能把遠(yuǎn)處的景物拉近,使之充滿畫(huà)面,具有“望遠(yuǎn)”的功能,從而使景物的遠(yuǎn)近感消失;縮短了...
光刻系統(tǒng)是一種用于半導(dǎo)體器件制造的精密科學(xué)儀器,是制備高性能光電子和微電子器件不可或缺的**工藝設(shè)備 [1] [6-7]。其技術(shù)發(fā)展歷經(jīng)紫外(UV)、深紫外(DUV)到極紫外(EUV)階段,推動(dòng)集成電路制程不斷進(jìn)步 [3] [6]。當(dāng)前**的EUV光刻系統(tǒng)已實(shí)...