編碼：

陶瓷電容上會印有三位數(shù)的編碼標示其電容值，前二個數(shù)字標示容值比較高的二位數(shù)，zui后一數(shù)字則標示10的次方，其單位為皮法拉 （pF）。數(shù)字后會有一個字母標示其電容允差范圍。B± 0.1 pFC± 0.25 pFM±20%D± 0.5 pFP+100 ?0%J± 5%Y?20 +50%K±10%Z?20 + 80%例：一陶瓷電容標示104K，表示其容值為10×104 pF = 100,000 pF = 100 nF = 0.1 μF ±10%

EIA也有針對電容的溫度系數(shù)有三個字的識別碼。對于不是Class 1的非溫度補償型電容，第yi個字對應工作溫度的下限，第二個字為數(shù)字，對應工作溫度的上限，第三個字對應在上述溫度范圍內(nèi)的電容值變動： HJ安規(guī)陶瓷電容器_現(xiàn)貨供應。揚州陶瓷電容器批發(fā)價

    由于內(nèi)部回復力（如極化產(chǎn)生的內(nèi)應力的釋放等）作用，各晶粒自發(fā)極化只能在一定程度上按原外電場方向取向，陶瓷內(nèi)的極化強度不再為零，如圖(c)。這種極化強度，稱為剩余極化。與單位體積內(nèi)的自發(fā)極化的相轉(zhuǎn)變相同的是電容率，可視為靜電容量進行觀測。當沒有外加直流電壓時，自發(fā)極化為隨機取向狀態(tài)，但當從外部施加直流電壓時，由于電介質(zhì)中的自發(fā)極化受到電場方向的束縛，因此不易發(fā)生自發(fā)極化時的自由相轉(zhuǎn)變。其結(jié)果導致，得到的靜電容量較施加偏壓前低。這就是當施加了直流電壓后，靜電容量降低的原理。此外，對于溫度補償用電容器（CH、SL特性等），以常誘電性（低介電常數(shù)）陶瓷作為主要原料，靜電容量不因直流電壓特性而發(fā)生變化。DC偏置使得介質(zhì)內(nèi)的固定電荷產(chǎn)生固定偏轉(zhuǎn)，所以材料的性能會退化。高偏置的強電場讓介質(zhì)定向極化，材料就退回到普通陶瓷的情況了。如果我們在電容兩端施加交流信號，則會出現(xiàn)電容值增大的現(xiàn)象。交流信號讓介質(zhì)中的“固定”電荷來回換向，從而影響材料內(nèi)的電場分布，“吸附”更多的電荷。AC幅值增加，“電荷”方向和電場越一致，附加的電場強度上升，可用容量增加；但是當介質(zhì)中固定電荷場強一致之后，這個效益就很小了。南京Y1瓷片電容器陶瓷電容器蘇州海視達電子科技有限公司，陶瓷電容器供應，如有需要歡迎來電咨詢。

    第三位字母R為隨溫度變化的容值偏差±15%；Y5V表示為：第yi位Y為比較低工作溫度-30℃，第二位的數(shù)字5位比較高工作溫度+85℃，第三位字母V為隨溫度變化的容值偏差+22%，-82%±15%。Z5U表示為：第yi位Z為比較低工作溫度+10℃，第二位的數(shù)字5位比較高工作溫度+85℃，第三位字母U為隨溫度變化的容值偏差+22%，-56%，陶瓷電容器的阻抗頻率特性第yi類介質(zhì)的陶瓷電容器的ESR隨頻率而上升，如圖陶瓷電容器的ESR頻率特性第yi類介質(zhì)的陶瓷電容器阻抗頻率特性第二類陶瓷電容器的阻抗頻率特性陶瓷電容器的損耗因數(shù)與頻率的關系陶瓷電容器的阻抗頻率特性陶瓷電容器的絕緣電阻與溫度的關系損耗因數(shù)與溫度的關系電容量與直流偏置電壓的關系第yi類介質(zhì)電容器的電容量與直流偏置電壓無關。第二類介質(zhì)電容器的電容量隨直流偏置電壓變化，如圖。Y5V介質(zhì)電容器的電容量隨直流偏置電壓變化非常大，從無偏置時的全部電容量下降到額定電壓下的直流偏置電壓時得不到額定電容量的25%，也就是說10μF的電容量在額定電壓時僅為不到μF！在高溫時由于電容量已經(jīng)下降到很低，所以這時的電容量隨直流偏置電壓的變化不大。X7R介質(zhì)電容器的電容量隨直流偏置電壓變化雖比較大，但是比Y5V好得多。

陶瓷電容的結(jié)構和主要加工環(huán)節(jié)

如下面圖的瓷片電容的結(jié)構，內(nèi)電極導體一般為Ag或AgPd，陶瓷介質(zhì)一般為BaTiO3， 多層陶瓷結(jié)構通過高溫燒結(jié)而成。器件端頭鍍層（外電極）一般為燒結(jié)Ag/AgPd，然后制備一層Ni阻擋層(以阻擋內(nèi)部Ag/AgPd材料，防止其和外部Sn發(fā)生反應)，再在Ni層上制備Sn或SnPb層用以焊接。近年來，也出現(xiàn)了端頭使用Cu的MLCC產(chǎn)品。

下面簡單介紹一下陶瓷電容的主要加工環(huán)節(jié)：

a） 備料成型：原料經(jīng)過煅燒、粉碎與混和后，達到一定的顆粒細度，原則上顆粒越細越好。然后根據(jù)電容器結(jié)構形狀，進行陶瓷介質(zhì)坯件成型；

b） 燒成：對瓷坯進行高溫處理，是其成為具有高機械強度、優(yōu)良電氣性能的瓷體。燒成溫度一般在1300℃以上。高溫保持時間過短，固相反應不完全徹底，影響整個坯體結(jié)構，造成電性能惡化，是所謂“生燒”；高溫保持時間過長，使坯體起泡變形以及晶粒變大，同樣惡化電性能，造成“過燒”；

c） 然后是電極制造，引線焊接，涂覆，包封；

    5）包封包封料的選擇、包封工藝的控制以及瓷件表面的清潔處理等對電容器的特性影響很大。岡此，必須選擇抗潮性好，與瓷體表面密切結(jié)合的、抗電強度高的包封料。目前，大多選擇環(huán)氧樹脂，少數(shù)產(chǎn)品也有選用酚醛脂進行包封的。還有采取先絕緣漆涂覆，再用酚醛樹脂包封方法的，這對降低成本有一定意義。大規(guī)模生產(chǎn)線上多采用粉末包封技術。3、多層陶瓷電容器是片式元件中應用zui廣fan的一類，它是將內(nèi)電極材料與陶瓷坯體以多層交替并聯(lián)疊合，并共燒成一個整體，又稱片式獨石電容器，具有小尺寸、高比容、高精度的特點，可貼裝于印制電路板、混合集成電路基片，有效地縮小電子信息終端產(chǎn)品的體積和重量，提高產(chǎn)品可靠性。順應了IT產(chǎn)業(yè)小型化、輕量化、高性能、多功能的發(fā)展方向，國家2010年遠景目標綱要中明確提出將表面貼裝元器件等新型元器件作為電子工業(yè)的發(fā)展重點。它不僅封裝簡單、密封性好，而且能有效地隔離異性電極。MLCC在電子線路中可以起到存儲電荷、阻斷直流、濾波、禍合、區(qū)分不同頻率及使電路調(diào)諧等作用。在高頻開關電源、計算機網(wǎng)絡電源和移動通信設備中可部分取代有機薄膜電容器和電解電容器，并大da提高高頻開關電源的濾波性能和抗干擾性能。海視達供應安規(guī)電容器廠家,安規(guī)電容器定制。南京Y1瓷片電容器陶瓷電容器

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    或?qū)Ψ€(wěn)定性和損耗要求不高的場合〈包括高頻在內(nèi)〉。這種電容器不宜使用在脈沖電路中，因為它們易于被脈沖電壓擊穿。MGLednc獨石(Monolithic)電容由于多層陶瓷需要燒結(jié)瓷化，形成一體化結(jié)構，所以引線(Lead)封裝的多層陶瓷電容。多層陶瓷電容，也就是MLCC，片狀(Chip)的多層陶瓷電容是目前世界上使用量zui大的電容類型，其標準化封裝，尺寸小，適用于自動化高密度貼片生產(chǎn)。MGLedncMGLednc獨石電容是多層陶瓷電容器的別稱，英文名稱monolithicceramiccapacitor或multi-layerceramiccapacitor,簡稱MLCC，根據(jù)所使用的材料，可分為三類。MGLednc一類為溫度補償類NPO電介質(zhì)這種電容器電氣性能zui穩(wěn)定，基本上不隨溫度、電壓、時間的改變，屬超穩(wěn)定型、低損耗電容材料類型，適用在對穩(wěn)定性、可靠性要求較高的高頻、特高頻、甚高頻電路中。MGLednc二類為高介電常數(shù)類X7R電介質(zhì)由于X7R是一種強電介質(zhì)，因而能制造出容量比NPO介質(zhì)更大的電容器。這種電容器性能較穩(wěn)定，隨溫度、電壓時間的改變，其特有的性能變化并不xian著，屬穩(wěn)定電容材料類型，使用在隔直、耦合、傍路、濾波電路及可靠性要求較高的中高頻電路中。MGLednc三類為半導體類Y5V電介質(zhì)這種電容器具有較高的介電常數(shù)。揚州陶瓷電容器批發(fā)價

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